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멀티비트 비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014061821
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 공정으로 제작이 가능하면서 멀티 비트가 명확히 구현되는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 터널링 절연층, 전하 트랩층, 컨트롤 절연층 및 게이트 전극이 적층되어 형성된다. 그리고 터널링 절연층 및 컨트롤 절연층 중 적어도 하나의 절연층은 일부분이 나머지 부분과 서로 다른 두께를 갖도록 형성된다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01)
출원번호/일자 1020080116346 (2008.11.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1006868-0000 (2011.01.03)
공개번호/일자 10-2010-0057345 (2010.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20110112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 광진구
2 김영배 대한민국 경기 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0804795-83
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0425134-95
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0764098-09
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0764165-60
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0602406-61
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 터널링 절연층, 전하 트랩층, 컨트롤 절연층 및 게이트 전극을 순차 형성하는 단계를 포함하고, 상기 터널링 절연층을 형성하는 단계 및 상기 컨트롤 절연층을 형성하는 단계 중 적어도 하나의 단계는 절연층을 형성한 후 상기 절연층의 일부를 식각하여 수행함으로써, 상기 터널링 절연층 및 상기 컨트롤 절연층 중 적어도 하나의 절연층은 일정한 제1두께를 갖는 제1절연부와 상기 제1두께보다 큰 일정한 제2두께를 갖는 제2절연부를 갖도록 형성하여, 상기 제1절연부와 제2 절연부에 인가되는 전기장이 다른 특성을 이용해 멀티 비트를 구현하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자 제조방법
2 2
기판; 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연층; 상기 터널링 절연층 상에 형성된 전하 트랩층; 상기 전하 트랩층 상에 형성된 컨트롤 절연층; 및 상기 컨트롤 절연층 상에 형성된 게이트 전극;을 포함하며, 상기 터널링 절연층 및 상기 컨트롤 절연층 중 적어도 하나의 절연층은 일정한 제1두께를 갖는 제1절연부와 상기 제1두께보다 큰 일정한 제2두께를 갖는 제2절연부를 갖도록 형성되어, 상기 제1절연부와 제2 절연부에 인가되는 전기장이 다른 특성을 이용해 멀티 비트를 구현하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 나노입자를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노입자는 금속 나노점, 금속 산화물 나노점 및 화합물 반도체 나노점 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자
5 5
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 컨트롤 절연층은 산화실리콘(SiO2)보다 유전율이 큰 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 컨트롤 절연층은 산화하프늄(HfO2)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.