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기판; 상기 기판 상에 일 방향으로 연장 형성되는 속이 빈 마카로니 형태의 채널층;상기 채널층의 내부 공간에 충진되어 상기 일 방향으로 연장 형성되는 P 타입 필러(P-type filler); 및 상기 채널층 및 상기 P 타입 필러 사이에 개재되어, 상기 P 타입 필러의 누설 전류를 차단하는 질화물층을 포함하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 P 타입 필러는, 상기 기판으로부터 인가되는 전압을 상기 채널층의 전체 영역에 전달시켜 정공 주입(Hole injection) 소거 방식을 지원하는, 3차원 플래시 메모리
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기판; 상기 기판 상에 일 방향으로 연장 형성되는 속이 빈 마카로니 형태의 채널층; 및 상기 채널층의 내부 공간에 충진되어 상기 일 방향으로 연장 형성되는 P 타입 필러(P-type filler)을 포함하고, 상기 P 타입 필러는, 누설 전류가 10-14A 이하로 억제되도록 5*1017cm-3 이하의 도핑 농도를 가지며, 상기 P 타입 필러와 상기 채널층 사이의 계면은, 상기 누설 전류가 10-13A 이하로 억제되도록 1013cm-2 이하의 트랩 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 질화물층의 두께는, 정공(Hole)이 상기 질화물층의 TAT(Trap Assist Tunneling)에 의해 상기 P 타입 필러 및 상기 채널층 사이에서 이동 가능하도록 결정되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 채널층은, In, Zn 또는 Ga 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 4족 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 채널층을 감싸며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층을 더 포함하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상에 속이 빈 마카로니 형태의 채널층을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 채널층의 내부 공간에 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 누설 전류가 10-14A 이하로 억제되도록 5*1017cm-3 이하의 도핑 농도를 갖는 상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계이며, 상기 도핑 농도를 갖는 상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 P 타입 필러와 상기 채널층 사이의 계면이 상기 누설 전류가 10-13A 이하로 억제되도록 1013cm-2 이하의 트랩 밀도를 갖도록 상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 기판으로부터 인가되는 전압을 상기 채널층의 전체 영역에 전달시켜 정공 주입 소거 방식을 지원하는 상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 채널층을 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, In, Zn 또는 Ga 중 적어도 하나를 포함하는 물질 또는 4족 반도체 물질로 상기 채널층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 채널층을 감싸도록 ONO층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계를 더 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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기판 상에 속이 빈 마카로니 형태의 채널층을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 채널층의 내부 공간에 속이 빈 마카로니 형태의 질화물층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 질화물층의 내부 공간에 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 기판으로부터 인가되는 전압을 상기 채널층의 전체 영역에 전달시켜 정공 주입 소거 방식을 지원하는 상기 P 타입 필러를 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 질화물층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 P 타입 필러의 누설 전류를 차단하는 상기 질화물층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 질화물층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 정공(Hole)이 상기 질화물층의 TAT(Trap Assist Tunneling)에 의해 상기 P 타입 필러 및 상기 채널층 사이에서 이동 가능하도록 하는 두께로 상기 질화물을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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