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코어-쉘(core-shell) 구조를 가지며, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 발광층;상기 제1 반도체층의 상면 일부를 덮도록 마련되는 보호층(passivation layer); 상기 발광층의 상부에서 상기 제1 반도체층과 접촉하도록 마련되는 제1 전극; 및상기 발광층의 하부에서 상기 제2 반도체층과 접촉하도록 마련되는 제2 전극;을 포함하는 LED 소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광층은, 3차원 형상으로 마련되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층의 하면 및 측면을 덮도록 마련되는 활성층 및 상기 활성층에 마련되는 제2 반도체층을 포함하는 LED 소자
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제 2 항에 있어서,상기 보호층은 상기 발광층의 측면 전체, 상기 제1 반도체층의 상면 일부 및 상기 제2 반도체층의 하면 일부를 덮도록 마련되는 LED 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제1 반도체층의 상면 중 상기 보호층에 의해 오픈된 부분에 접촉하도록 마련되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 반도체층의 하면 중 상기 보호층에 의해 오픈된 부분에 접촉하도록 마련되는 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 제1 전극은 투명 전극이며, 상기 제2 전극은 반사 전극인 LED 소자
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제 4 항에 있어서,상기 제1 반도체층의 오픈된 상면 부분에는 광추출 향상을 위한 요철 구조가 마련되어 있는 LED 소자
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제 6 항에 있어서,상기 요철 구조를 형성하는 돌기부들 각각은 다각형 뿔 형상 또는 원뿔 형상을 가지는 LED 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층은 질화물 반도체 물질을 포함하는 LED 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 반도체층은 각각 n형 및 p형 반도체층인 LED 소자
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제 1 항에 있어서,상기 LED 소자는 100㎛ ⅹ 100㎛ 이하의 크기를 가지는 LED 소자
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제 1 항에 있어서,상기 LED 소자는 10㎛ 이하의 두께를 가지는 LED 소자
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2차원적으로 배열되어 서로 다른 색상의 빛을 방출하는 복수의 픽셀을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서,상기 복수의 픽셀은 복수의 LED 소자를 포함하고,상기 복수의 LED 소자 각각은,코어-쉘 구조를 가지며, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 발광층;상기 제1 반도체층의 상면 일부를 덮도록 마련되는 보호층;상기 발광층의 상부에서 상기 제1 반도체층과 접촉하도록 마련되는 제1 전극; 및상기 발광층의 하부에서 상기 제2 반도체층과 접촉하도록 마련되는 제2 전극;을 포함하는 디스플레이 장치
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제 12 항에 있어서,상기 발광층은, 3차원 형상으로 마련되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층의 하면 및 측면을 덮도록 마련되는 활성층 및 상기 활성층에 마련되는 제2 반도체층을 포함하는 디스플레이 장치
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제 13 항에 있어서,상기 보호층은 상기 발광층의 측면 전체, 상기 제1 반도체층의 상면 일부 및 상기 제2 반도체층의 하면 일부를 덮도록 마련되는 디스플레이 장치
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15
제 14 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제1 반도체층의 상면 중 상기 보호층에 의해 오픈된 부분에 접촉하도록 마련되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 반도체층의 하면 중 상기 보호층에 의해 오픈된 부분에 접촉하도록 마련되는 디스플레이 장치
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제 15 항에 있어서,상기 제1 반도체층의 오픈된 상면 부분은 광추출 향상을 위한 요철 구조를 포함하는 디스플레이 장치
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제 12 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 서로 다른 파장 대역의 빛을 방출하는 복수의 LED 소자를 포함하는 디스플레이 장치
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제 17 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 청색, 녹색 및 적색 LED 소자를 포함하는 디스플레이 장치
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제 12 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 동일한 파장 대역의 빛을 방출하는 복수의 LED 소자를 포함하는 디스플레이 장치
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제 19 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 복수의 청색 LED 소자를 포함하는 디스플레이 장치
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제 20 항에 있어서,상기 복수의 픽셀 중 일부는 청색광을 녹색광으로 변환시키는 녹색 변환층을 더 포함하고, 다른 일부는 청색광을 적색광으로 변환시키는 적색 변환층을 더 포함하는 디스플레이 장치
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기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계;상기 멤브레인에 3차원 형상의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층의 상면 및 측면을 덮는 활성층, 및 상기 활성층을 덮는 제2 반도체층을 순차적으로 증착하여 발광층을 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층에 접촉하는 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제 22 항에 있어서,상기 멤브레인을 형성하는 단계는,상기 기판에 희생층 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판에 상기 희생층 패턴을 덮도록 멤브레인 물질층을 형성하는 단계; 상기 희생층 패턴을 제거하는 단계; 및상기 멤브레인 물질층을 결정화시키는 단계;를 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제 22 항에 있어서,상기 발광층을 덮도록 보호층을 형성한 다음, 상기 보호층을 식각하여 상기 제2 반도체층의 상면 일부를 오픈시키는 단계를 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제 24 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제2 반도체층의 오픈된 상면 부분과 접촉하도록 상기 보호층에 형성되는 LED 소자의 제조방법
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제 25 항에 있어서,상기 멤브레인을 제거하여 상기 제1 반도체층의 하면 일부를 오픈시키는 단계를 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제 26 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제1 반도체층의 하면 부분과 접촉하도록 상기 보호층에 형성되는 LED 소자의 제조방법
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제 27 항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하기 전에 상기 제1 반도체층의 오픈된 하면 부분에 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제 22 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판을 포함하고, 상기 멤브레인은 알루미나(alumina)를 포함하는 LED 소자의 제조방법
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제 29 항에 있어서,상기 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층은 질화물 반도체 물질을 포함하는 LED 소자의 제조방법
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