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그래핀층;상기 그래핀층 상에 선형 프리커서를 이용하여 형성되며, 상기 그래핀층의 상부 표면을 전부 덮는 판 모양을 가지는 중간층; 및 상기 중간층 상에 원자층 증착법에 의하여 상기 중간층의 표면과 접촉하도록 형성된 물질층; 을 포함하며,상기 물질층은 high-k 물질을 포함하며, 상기 high-k 물질은 Al 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, W 산화물, Ta 산화물, Ru 산화물 또는 Zr 산화물 중 어느 하나를 포함하고,상기 중간층은 상기 그래핀층 상에 상기 물질층을 형성하기 위한 시드층의 역할을 하는 것으로서, 금속 산화물을 포함하며 상기 그래핀층의 표면과 접촉하도록 형성되는, 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 선형 프리커서는 Diethylzinc, Be(N(Si(CH3)3)2)2, Co(N(Si(C2H5)(CH3)2)2)2, Fe(N(Si(CH3)3)2)2, Ge(N(C(CH3)3)2)2, Ge(N(C(CH3)3)Si(CH3)3)2, Ni(N(Si(CH3)3)2)2 또는 Sn(N(C(CH3)3)Si(CH3)3)2인, 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 중간층은 Zn 산화물, Ge 산화물, Ni 산화물, Fe 산화물, Sn 산화물 또는 Be 산화물 중 적어도 하나의 물질을 포함하는, 그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 0
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그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 표면에 선형 프리커서를 이용하여 상기 그래핀층의 상부 표면을 전부 덮는 판 모양을 가지는 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 상에 원자층 증착법에 의하여 상기 중간층의 표면과 접촉하도록 물질층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 물질층은 high-k 물질을 포함하며, 상기 high-k 물질은 Al 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, W 산화물, Ta 산화물, Ru 산화물 또는 Zr 산화물 중 어느 하나를 포함하고,상기 중간층은 상기 그래핀층 상에 상기 물질층을 형성하기 위한 시드층의 역할을 하는 것으로서, 금속 산화물을 포함하며 상기 그래핀층의 표면과 접촉하도록 형성되는, 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 선형 프리커서는 상기 선형 프리커서는 Diethylzinc, (Be(N(Si(CH3)3)2)2, Co(N(Si(C2H5)(CH3)2)2)2, Fe(N(Si(CH3)3)2)2, Ge(N(C(CH3)3)2)2, Ge(N(C(CH3)3)Si(CH3)3)2, Ni(N(Si(CH3)3)2)2 또는 Sn(N(C(CH3)3)Si(CH3)3)2인, 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 중간층은 Zn 산화물, Ge 산화물, Ni 산화물, Fe 산화물, Sn 산화물 또는 Be 산화물 중 적어도 하나의 물질로 형성하는, 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 중간층은 0
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