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제1 전극 상에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 스프레이 코팅(orthogonal spray coating)으로 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층 상에 정공수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전자수송층 상에 스프레이 코팅으로 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계는,상기 전자수송층 상에 제1 페로브스카이트 화합물을 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 제1 페로브스카이트 화합물 상에 제2 페로브스카이트 화합물을 코팅하는 단계;를 포함하며,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은, 상기 제2 페로브스카이트 화합물의 코팅 시간에 따라 상기 정공수송층에서 상기 전자수송층으로의 깊이 방향으로 조성 경사(Graded)를 가지며,상기 제2 페로브스카이트 화합물의 코팅 시간은 0
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 상기 정공수송층에서 상기 전자수송층으로의 깊이 방향으로 연속적으로 밴드 구조 경사가 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 내부에 적어도 하나 이상의 전기장이 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 2로 표현되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 적어도 둘 이상의 1가 음이온을 포함하고, 상기 깊이 방향으로 상기 적어도 둘 이상의 1가 음이온의 조성비가 변화되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전자수송층과 접촉하는 상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 상기 제1 페로브스카이트 화합물의 농도가 상기 제2 페로브스카이트 화합물의 농도보다 높고,상기 정공수송층과 접촉하는 상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 상기 제2 페로브스카이트 화합물의 농도가 상기 제1 페로브스카이트 화합물보다 높은 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 페로브스카이트 화합물의 코팅 시간에 따라 상기 페로브스카이트 화합물의 평균 직경이 조절되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 3로 표현되고, 상기 제2 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 4로 표현되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법의 제조 방법
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되는 전자수송층;상기 전자수송층 상에 스프레이 코팅(orthogonal spray coating)으로 형성되고, 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층;상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층 상에 형성되는 정공수송층; 및상기 정공수송층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 제1 페로브스카이트 화합물 및 제2 페로브스카이트 화합물을 포함하며,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 상기 제2 페로브스카이트 화합물의 코팅 시간에 따라 상기 정공수송층에서 상기 전자수송층으로의 깊이 방향으로 조성 경사(Graded)를 가지며,상기 제2 페로브스카이트 화합물의 코팅 시간은 0
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제12항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 상기 정공수송층에서 상기 전자수송층으로의 깊이 방향으로 연속적으로 밴드 구조 경사가 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자
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제12항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 내부에 적어도 하나 이상의 전기장이 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자
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제12항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자
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제15항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 2로 표현되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자
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제12항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 적어도 둘 이상의 1가 음이온을 포함하고, 상기 깊이 방향으로 상기 적어도 둘 이상의 1가 음이온의 조성비가 변화되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자
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제12항에 있어서,상기 전자수송층과 접촉하는 상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 제1 페로브스카이트 화합물의 농도가 제2 페로브스카이트 화합물의 농도보다 높으며,상기 정공수송층과 접촉하는 상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은 제2 페로브스카이트 화합물의 농도가 제1 페로브스카이트 화합물보다 높은 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전 소자
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