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기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극 및 기판 위에 게이트 절연막을 형성하며, 상기 게이트 절연막은 실록산 결합을 갖는 용액형 물질을 사용한 용액 공정을 통하여 형성되는 단계;
상기 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
강제 산화법을 사용하여 상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 금속 산화막인 수송자 주입막을 각각 형성하는 단계; 및
상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 상기 게이트 전극과 중첩되는 유기 반도체층을 형성하는 단계
를 포함하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1항에 있어서
상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 실리콘옥사이드(SiOx), 실리콘나이트라이드(SiNx), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 지르코니아비드(ZrO2) 을 포함하는 물질 중 하나를 이용하여 상기 게이트 절연막을 형성하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1항에 있어서
상기 수송자 주입막을 형성하는 단계는, 산소 플라즈마 공정을 통하여 상기 수송자 주입막을 형성하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1항에 있어서
상기 수송자 주입막을 형성하는 단계는, 산소 중성자빔을 이용한 플라즈마 공정을 통하여 상기 수송자 주입막을 형성하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제4항에 있어서
상기 산소 중성자빔을 이용한 플라즈마 공정은,
상기 게이트 절연막을 포함하는 플라즈마 방전공간으로 처리가스를 도입하는 단계;
상기 플라즈마 방전공간에서 플라즈마 방전으로 처리가스를 플라즈마로 전환시키는 단계;
생성된 플라즈마를 상기 플라즈마 방전공간의 측면에 배치된 산소 원소 코팅막과 충돌시켜, 산소 원소를 상기 산소 원소 코팅막으로부터 플라즈마 방전공간으로 스퍼터링하는 단계;
상기 산소 원소 코팅막으로부터 스퍼터링된 산소 원소의 양이온을 상기 플라즈마 방전 공간에 배치된 금속판으로 유도하는 단계;
상기 금속판과 산소 원소의 양이온의 충돌에 의해 산소 원소의 중성입자를 생성하는 단계; 및
상기 산소 원소의 중성입자를 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉시켜 금속 산화막인 수송자 주입막을 형성하는 단계
를 포함하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제4항 또는 제5항에 있어서
상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는 분자량이 설정값보다 작은 아크릴계 물질, 폴리비닐페놀(PVP), 폴리비닐알콜(PVA) 그리고 폴리이미드(PI)) 중 하나를 사용하여 상기 게이트 절연막을 형성하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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7
기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극;
상기 게이트 전극을 덮는 형태로 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 위에 각각 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 각각 형성되어 있는 수송자 주입막; 그리고
상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치되고 상기 게이트 전극과 중첩되어 있는 유기 반도체층을 포함하며,
상기 게이트 절연막은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 지르코니아비드(ZrO2) 중 하나로 이루어지고
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기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극;
상기 게이트 전극을 덮는 형태로 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 위에 각각 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 각각 형성되어 있는 수송자 주입막; 그리고
상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치되고 상기 게이트 전극과 중첩되어 있는 유기 반도체층을 포함하며,
상기 게이트 절연막은 분자량이 설정값보다 작은 유기 물질(아크릴계 물질, 폴리비닐페놀(PVP), 폴리비닐알콜(PVA) 그리고 폴리이미드(PI) 중 하나임)로 이루어지고, 실록산 결합을 갖는 용액형 물질을 이용하여 형성되어 있으며,
상기 수송자 주입막은 상기 소스 및 드레인 전극의 표면을 산소 중성입자빔을 이용하여 산화시킨 금속 산화막인, 유기 박막 트랜지스터
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제7항 또는 제8항에 있어서
상기 소스 전극 및 드레인 전극은 다층 구조로 이루어지는, 유기 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서
상기 소스 전극 및 드레인 전극은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni)을 포함하는 전이금속 계열 중 하나로 이루어지는 제1층과, 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al)을 포함하는 금속이나 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 전도성 산화막 중 하나인 제2층으로 이루어지는, 유기 박막 트랜지스터
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11
제7항 또는 제8항에 있어서
상기 수송자 주입막은, 몰리브덴산화막 (MoOx), 텅스텐산화막 (WOx), 구리산화막 (CuOx) 그리고 니켈산화막 (NiOx) 중 하나로 이루어지는, 유기 박막 트랜지스터
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제7항 또는 제8항에 있어서
상기 유기 반도체층은, 펜타센 (Pentacene), 폴리사이오핀 (polythiophene), TIPS펜타센(triisopropylsilylethynyl pentacene), 고분자 유기 반도체층(poly 3-hexylthiophene(P3HT), poly 3-octlythiophene(P3OT), poly butylthiopehen (PBT)) 중 하나로 이루어지는, 유기 박막 트랜지스터
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