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기판, 상기 기판 상에 배치되고 금속 산화물을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 흡광층을 포함하되, 1000 lux 이하의 광에 대해 전력 변환 효율(power conversion efficiency, PCE)이 14% 이상인 것을 포함하는 실내용 유기 광전지
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전극이 포함하는 상기 금속 산화물은, 다결정(polycrystalline) 구조를 갖는 것을 포함하는 실내용 유기 광전지
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제1 항에 있어서, 상기 금속 산화물은, 주석 산화물(SnO2-x)을 포함하는 실내용 유기 광전지
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제1 항에 있어서, 상기 금속 산화물을 포함하는 상기 제1 전극은, ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 전극 보다 면저항(sheet resistance)이 높은 것을 포함하는 실내용 유기 광전지
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제1 항에 있어서, 상기 흡광층은, LED의 발광 파장 영역과 중첩되는 흡광 파장 영역을 갖는 것을 포함하는 실내용 유기 광전지
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제5 항에 있어서, 상기 흡광층은, P3HT:ICBA(Poly(3-hexylthiophene):indene-C60bisadduct)를 포함하는 실내용 유기 광전지
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 흡광층 사이에 배치되는 전자 선택 수송층, 상기 제2 전극 및 상기 흡광층 사이에 배치되는 홀 선택 수송층을 더 포함하는 실내용 유기 광전지
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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 제1 금속을 포함하는 전구체, 및 산소를 포함하는 반응물질을 제공하여, 상기 전구체와 상기 반응물질이 반응된 금속 산화물을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에, 고분자 및 인덴(indene)을 포함하는 흡광 용액을 제공하여 흡광층을 형성하는 단계; 및 상기 흡광층 상에, 제2 금속을 포함하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 전극을 형성하는 단계의 공정 온도를 제어하여, 1000 lux 이하의 광에 대한 전력 변환 효율(power conversion efficiency, PCE)을 제어하는 것을 포함하는 실내용 유기 광전지의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계의 공정 온도는, 200℃이상으로 제어되는 것을 포함하는 실내용 유기 광전지의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 전구체는, N, N'-tert-butyl-1, 1-dimethylethylenediamine stannylene(II)을 포함하고, 상기 반응물질은 오존(O3)을 포함하는 실내용 유기 광전지의 제조 방법
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