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금속화합물-다층 그래핀으로 이루어진 핵-껍질 양자점을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022007538
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저농도에서의 환경에서도 오염 가스를 감지하고, 빠른 반응속도 특성을 나타내며 우수한 선택성을 가지는 가스 센서의 제공을 목적으로 한다.본 발명의 일 관점에 따르면, 금속화합물-다층 그래핀으로 이루어진 핵-껍질 양자점을 포함하는 가스 센서 및 이의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속화합물은 산화아연(ZnO), 황화 카드뮴(CdS), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴 텔라이드(CdTe) 중에서 선택되는 하나를 포함할 수 있다.본 발명의 실시예에 따르면, 높은 비표면적을 가지는 양자점(quantum dot) 나노구조체 합성을 통해 미량의 가스를 고감도, 고선택성 및 고속으로 감지할 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/327 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210164323 (2021.11.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0073679 (2022.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200161077   |   2020.11.26
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.11.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손동익 전라북도 완주군
2 이규승 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-1363389-44
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번호 청구항
1 1
금속화합물-다층 그래핀으로 이루어진 핵-껍질 양자점을 포함하는 가스 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속화합물은 산화아연(ZnO), 황화 카드뮴(CdS), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴 텔라이드(CdTe) 중에서 선택되는 하나를 포함하는, 가스 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 양자점에서 다층 그래핀의 두께는 2nm 내지 10 nm인, 가스 센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속화합물의 평균 입자 크기는 10nm 내지 20nm인, 가스 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 가스 센서는 이산화황(SO2), 일산화질소(NO), 이산화질소(NO2), 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 황화수소(H2S), 암모니아(NH3), 아세트알데히드, 아세톤, 톨루엔, 벤젠, 메탄, 아세틸렌 및 이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 감지하기 위한 것인, 가스 센서
6 6
(a) 기판 상에 전극을 형성하는 단계;(b) 금속화합물-다층 그래핀 핵-껍질 양자점을 제조하는 단계; 및(c) 상기 전극 상에 제조된 상기 양자점을 코팅 가스 감지층을 형성하는 단계;를 포함하는, 가스 센서의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 금속화합물를 구성하는 전구체 용액에 기능화된 다층 그래핀산화물을 투입하고 반응시키는 단계를 포함하는, 가스 센서의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 기능화된 다층 그래핀산화물은,단일 벽 탄소나노튜브(SWCNTs)를 산처리하여 제조한 것인, 가스 센서의 제조 방법
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1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발 그래핀 결함 분석 및 치유를 통한 규격화 기술 개발