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제1 면 및 상기 제1 면과 마주보게 배치되고 상기 제1 면보다 면적이 큰 제2 면을 포함하는 제1 반도체층, 상기 제1 면 상에 배치된 활성층, 및 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층을 포함하는 발광층,상기 제1 면 상에 배치되어 상기 제1 반도체층의 오픈 영역을 정의하는 절연층, 상기 오픈 영역을 통해 상기 제1 반도체층과 접촉하는 제1 전극, 및상기 제2 반도체층 상에 구비되어 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 전극을 포함하고,상기 절연층이 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층과 접하는 면과 상기 절연층이 상기 제1 반도체층과 접하는 면이 이루는 각도는 90° 보다 작은,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제1 반도체층 표면에 접촉하는,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 반사 전극인,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 LED 소자는 100 ㎛ x 100 ㎛ 이하의 크기를 가지는,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극의 적어도 일부 및 상기 제2 전극이 상기 제1 면에 마주하는 방향에 구비된 수평 전극 구조를 가진,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 구동부 접속면은 상기 제2 면으로부터 동일한 거리에 형성된,LED 소자
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7
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 절연층 상부로 연장된 연장부를 포함하는,LED 소자
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8
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제2 면에 형성된 결함선을 포함하는,LED 소자
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제8항에 있어서,상기 결함선은 상기 제1 반도체층의 한 변과 평행한,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제1 면에 형성되고 상기 제2 면 방향으로 오목하게 패인 노치부를 포함하는,LED 소자
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제10항에 있어서,상기 노치부는 상기 LED 소자의 한 변에 평행한 방향으로 형성된,LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제1 면에 상기 제1 전극 주변을 따라 형성되고, 상기 제2 면 방향으로 오목하게 패인 밸리부를 포함하는,LED 소자
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제1 면 및 상기 제1 면과 마주보게 배치되고 상기 제1 면보다 면적이 큰 제2 면을 포함하는 제1 반도체층, 상기 제1 면 상에 배치된 활성층, 및 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층을 포함하는 발광층,상기 제1 면 상에 배치되어 상기 제1 반도체층의 오픈 영역을 정의하는 절연층, 상기 오픈 영역을 통해 상기 제1 반도체층과 접촉하는 제1 전극, 및상기 제2 반도체층 상에 구비되어 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 전극을 포함하고,상기 활성층이 상기 절연층과 접하는 면과 상기 활성층이 상기 제1 반도체층과 접하는 면이 이루는 각도는 90° 보다 큰,LED 소자
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기판 상부에 멤브레인을 형성하는 단계;상기 멤브레인 상부에 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층의 일부를 덮는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층이 형성되지 않은 상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 제거하여 상기 제1 반도체층이 노출되는 오픈 영역을 형성하는 단계; 및상기 오픈 영역에 상기 제1 반도체층에 접촉하는 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 반도체층에 접촉하는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는,LED 소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 멤브레인을 형성하는 단계는,상기 기판에 희생층 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판에 상기 희생층 패턴을 덮도록 멤브레인 물질층을 형성하는 단계; 상기 희생층 패턴을 제거하는 단계; 및상기 멤브레인 물질층을 결정화시키는 단계;를 포함하는LED 소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판을 포함하고, 상기 멤브레인은 알루미나(alumina)를 포함하는,LED 소자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 멤브레인은, 평행하게 배열된 복수개의 사각 막대 패턴을 포함하는,LED 소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제1 반도체층을 형성하는 단계는,제1 사각 막대 패턴에서 성장한 제1 반도체 물질과 상기 제1 사각 막대 패턴과 인접한 제2 사각 막대 패턴 상부에서 성장한 제2 반도체 물질을 결합하는 단계를 포함하는, LED 소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 제1 반도체층을 덮는 절연층을 형성하고, 상기 절연층의 일부를 포토 공정으로 제거하는 단계인,LED 소자의 제조방법
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제1 색상 광을 방출하는 제1 픽셀 및 제2 색상 광을 방출하는 제2 픽셀을 포함하는 단위 픽셀이 2차원 어레이로 배열된 픽셀 어레이를 포함하고,상기 제1 픽셀 및 상기 제2 픽셀은 서로 다른 LED 소자를 포함하고,상기 LED 소자 중 적어도 하나는,제1 면 및 상기 제1 면과 마주보며 배치되고 상기 제1 면보다 면적이 큰 제2 면을 포함하는 제1 반도체층, 상기 제1 면 상에 배치된 활성층, 및 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층을 포함하는 발광층,상기 제1 면 상에 배치되어 상기 제1 반도체층의 오픈 영역을 정의하는 절연층, 상기 오픈 영역을 통해 상기 제1 반도체층과 접촉하는 제1 전극, 및상기 제2 반도체층 상에 구비되어 상기 제2 반도체층과 접촉하는 제2 전극을 포함하고,상기 절연층이 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층과 접하는 면과 상기 절연층이 상기 제1 반도체층과 접하는 면이 이루는 각도는 90° 보다 작은,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제1 반도체층 표면에 접촉하는,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 반사 전극인,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 LED 소자는 100 ㎛ x 100 ㎛ 이하의 크기를 가지는,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 전극의 적어도 일부 및 상기 제2 전극이 상기 제1 면에 마주하는 방향에 구비된 수평 전극 구조를 가진,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 구동부 접속면은 상기 제2면으로부터 동일한 거리에 형성되는,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 절연층 상부로 연장된 연장부를 포함하는,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제2 면에 형성된 결함선을 포함하는,디스플레이 장치
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제27항에 있어서,상기 결함선은 상기 제1 반도체층의 한 변과 평행한,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제1 면에 형성되고 상기 제2 면 방향으로 오목하게 패인 노치부를 포함하는,디스플레이 장치
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제29항에 있어서,상기 노치부는 상기 LED 소자의 한 변에 평행한 방향으로 형성된,디스플레이 장치
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제20항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제1 면에 상기 제1 전극 주변을 따라 형성되고, 상기 제2 면 방향으로 오목하게 패인 밸리부를 포함하는,디스플레이 장치
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