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게이트전극, 게이트절연막, 소스전극, 드레인전극 및 소스전극과 드레인전극 사이에 구비되는 채널을 포함하여 이루어지며, 상기 채널은 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체는, BNNT(boron nitride nanotubes)와 CNT(carbon nanotubes)의 혼합체이며, 상기 BNNT와 CNT는 동일 방향으로 자기정렬된(self-assembled) 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체에서 BNNT 비율은 2wt% 이하인 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 BNNT는 폴리플루오렌-BNNT 복합체이며, 상기 폴리플루오렌-BNNT 복합체는 폴리플루오렌이 BNNT의 외벽을 나선 모양으로 감싸는 형태이며, 폴리플루오렌의 플루오렌기와 BNNT의 B-N 육각고리가 π-π 결합을 이루는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 CNT는 s-SWCNT인 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 게이트전극 상에 게이트절연막이 적층되고, 게이트절연막 상의 양단측에 각각 소스전극, 드레인전극이 구비되며, 상기 소스전극과 드레인전극 사이에 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체로 이루어진 채널이 구비되는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터
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게이트전극, 게이트절연막, 소스전극, 드레인전극 및 소스전극과 드레인전극 사이에 구비되는 채널을 포함하는 전계효과트랜지스터의 제조방법에 있어서, BNNT-CNT 용액을 이용하여 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체로 이루어진 채널을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 BNNT-CNT 용액은, BNNT와 CNT가 개별적으로 분산된 용액이며, 상기 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체는, BNNT와 CNT의 혼합체이며, 상기 BNNT와 CNT는 동일 방향으로 자기정렬된(self-assembled) 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 BNNT-CNT 용액에서의 BNNT와 CNT의 혼합비율에서, BNNT 비율은 2wt% 이하인 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 BNNT-CNT 용액은 BNNT가 개별적으로 분산된 용액과, s-SWCNT가 개별적으로 분산된 용액이 혼합된 것인 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 BNNT가 개별적으로 분산된 용액에서, 상기 BNNT는 폴리플루오렌-BNNT 복합체이며, 상기 폴리플루오렌-BNNT 복합체는 폴리플루오렌이 BNNT의 외벽을 나선 모양으로 감싸는 형태이며, 폴리플루오렌의 플루오렌기와 BNNT의 B-N 육각고리가 π-π 결합을 이루는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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12
제 11 항에 있어서, 상기 폴리플루오렌-BNNT 복합체는, 폴리플루오렌 용액을 준비하는 과정과, 폴리플루오렌 용액에 BNNT(boron nitride nanotubes)를 포함하는 BNNT 합성물을 혼합하여 폴리플루오렌-BNNT 복합체를 형성시키는 과정을 통해 형성되며, 상기 폴리플루오렌-BNNT 복합체는 폴리플루오렌 용액 내에서 개별적으로 분산된 형태를 이루며, BNNT 합성물에 포함된 불순물은 폴리플루오렌 용액 내에 침전되는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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13
제 12 항에 있어서, 상기 폴리플루오렌은 PFO(poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)과 PFO-BPy(poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(6,6-[2,2-bipyridine])) 중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 게이트전극에 해당되는 기판 상에 게이트절연막을 적층하는 단계; BNNT-CNT 용액을 이용하여 상기 게이트절연막 상에 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체로 이루어진 채널을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연막 상의 양단측에 각각 소스전극, 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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제 14 항에 있어서, BNNT-CNT 용액을 이용하여 상기 게이트절연막 상에 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체로 이루어진 채널을 형성하는 단계;는, 물이 채워진 수조에 게이트절연막이 형성된 기판의 일부를 수평선에 직교하는 방향으로 침지시키는 과정과, BNNT-CNT 용액을 액적(droplet) 형태로 기판 주변의 물에 일정량 적정하는 과정과, 기판을 끌어올리는 과정을 포함하여 구성되며, 액적의 용매 성분은 시간의 경과에 따라 증발되며, 액적의 용매 성분이 증발되는 과정에서 액적 내의 BNNT와 CNT는 기판을 향해 확산되어 기판의 게이트절연막 상에 적층되며, BNNT와 CNT가 게이트절연막 상에 적층되는 과정에서 기판을 상부로 끌어올리면 게이트절연막 상에 적층되는 BNNT와 CNT가 특정 방향으로 자기정렬된(self-assembled) 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 자기정렬된 질화붕소나노튜브-탄소나노튜브 혼합체를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법
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