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기판 상에 형성된 제1전극;상기 제1전극 상에 형성된 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성되고, 금, 은, 팔라듐, 백금 및 구리로 구성된 군에서 선택되는 1종의 금속으로 형성되는 금속 박막;상기 금속 박막 상에 형성된 자기 조립 단분자막(self-assembled monolayer; SAM);상기 자기 조립 단분자막 상에 형성되며, 유무기 하이브리드(hybrid) 페로브스카이트를 포함하는 발광층;상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층; 및상기 전자 주입층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자:[화학식 1] AMXn상기 화학식 1에서, A는 유기물을 나타내고, M은 금속을 나타내고, X는 할로겐 원소를 나타내며, n은 0 이상 3 이하의 실수를 나타낸다
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제1항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 CH3NH3PbCln, CH3NH3PbBrn, CH3NH3PbIn, CH(NH2)2PbCl3-n, CH(NH2)2PbBrn, 및 CH(NH2)2PbIn로 구성된 군에서 선택되는 1종의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 CH3NH3PbBr3인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 자기 조립 단분자막은 하기 화학식 2로 표시되는 싸이올(thiol) 화합물 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 카르복실산 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자:[화학식 2] R-SH상기 화학식 2에서, R은 알킬기 또는 아릴기이다
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제5항에 있어서, 상기 화학식 2에서 R 및 상기 화학식 3에서 R'은 각각 독립적으로 질소 원자로 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 질소 원자로 치환 또는 비치환된 아릴기인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자
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제5항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 싸이올 화합물은 4-메르캅토피리딘(4-mercaptopyridine), 4-아미노싸이오페놀(4-aminothiophenol), 시스테아민(cysteamine) 및 싸이오페놀(thiophenol)로 구성된 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자
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제5에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 카르복실산 화합물은 4-피리딘카르복실산(4-pyridinecarboxylic acid), 4-아미노벤조산(4-aminobenzoic acid), 베타-알라닌(β) 및 벤조산(benzoic acid)으로 구성된 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막은 금 박막인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막의 두께는 1 nm 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자
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(a) 기판 상에 제1전극, 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하는 단계;(b) 상기 정공 수송층 상에 금, 은, 팔라듐, 백금 및 구리로 구성된 군에서 선택되는 1종의 금속으로 형성되는 금속 박막 형성하는 단계;(c) 상기 금속 박막 상에 자기 조립 단분자막을 형성하는 단계;(d) 상기 자기 조립 단분자막 상에 유무기 하이브리드(hybrid) 페로브스카이트를 포함하는 발광층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 발광층 상에 전자 수송층, 전자 주입층 및 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법:[화학식 1] AMXn상기 화학식 1에서, A는 유기물을 나타내고, M은 금속을 나타내고, X는 할로겐 원소를 나타내며, n은 0 이상 3 이하의 실수를 나타낸다
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제11항에 있어서,상기 상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 CH3NH3PbCln, CH3NH3PbBrn, CH3NH3PbIn, CH(NH2)2PbCl3-n, CH(NH2)2PbBrn, 및 CH(NH2)2PbIn로 구성된 군에서 선택되는 1종의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 CH3NH3PbBr3인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 자기 조립 단분자막은 하기 화학식 2로 표시되는 싸이올(thiol) 화합물 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 카르복실산 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 화학식 2에서 R 및 상기 화학식 3에서 R'은 각각 독립적으로 질소 원자로 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 질소 원자로 치환 또는 비치환된 아릴기인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 싸이올 화합물은 4-메르캅토피리딘(4-mercaptopyridine), 4-아미노싸이오페놀(4-aminothiophenol), 시스테아민(cysteamine) 및 싸이오페놀(thiophenol)로 구성된 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 카르복실산 화합물은 4-피리딘카르복실산(4-pyridinecarboxylic acid), 4-아미노벤조산(4-aminobenzoic acid), 베타-알라닌(β및 벤조산(benzoic acid)으로 구성된 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속 박막은 금 박막인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 박막의 두께는 1 nm 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 발광 소자의 제조 방법
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