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상부 전극과 하부 전극; 및 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 개재되는 분극 물질층(Polarizable material layer)을 포함하고, 상기 하부 전극으로는, 상기 상부 전극과 달리 산화물 전극이 사용되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제1항에 있어서,상기 산화물 전극은, 상기 분극 물질층에 산소를 공급하여 상기 산화물 전극과 상기 분극 물질층 사이 경계에서의 산소 공공(Oxide vacancy)을 억제하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제2항에 있어서,상기 산화물 전극은, RuO2를 포함하는 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제1항에 있어서,상기 산화물 전극은, 금속 질화물(Metal nitride) 및 금속 산화물(Metal oxide) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 배리어층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제4항에 있어서,상기 금속 질화물은, TiAlN, TiN, TaN, ZrN 및 HfN 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제4항에 있어서,상기 금속 산화물은, HfO2, ZrO2 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 전극으로는, 상기 질화물 전극이 사용되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제7항에 있어서,상기 분극 물질층을 갖는 소자는, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이 일함수(Work-function)의 차이가 존재함에 기반하여 2단자 소자로 사용되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법에 있어서,금속 질화물(Metal nitride) 및 금속 산화물(Metal oxide) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 배리어층을 준비하는 단계; 상기 배리어층 상에 하부 전극으로 사용되는 산화물 전극을 형성하는 단계; 상기 산화물 전극 상에 분극 물질층(Polarizable material layer)을 형성하는 단계; 및 상기 분극 물질층에 상부 전극으로 사용되는 질화물 전극을 형성하는 단계를 포함하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 산화물 전극을 형성하는 단계는, 상기 분극 물질층에 산소를 공급하여 상기 산화물 전극과 상기 분극 물질층 사이 경계에서의 산소 공공(Oxide vacancy)을 억제하는 상기 산화물 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 질화물 전극을 형성하는 단계는, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이 일함수(Work-function)의 차이가 존재함에 기반하여 상기 분극 물질층을 갖는 소자가 2단자 소자로 사용될 수 있도록 상기 하부 전극과 달리 상기 질화물 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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상부 전극과 하부 전극; 및 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 개재되는 분극 물질층(Polarizable material layer)을 포함하고, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각으로는, 산화물 전극이 사용되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제12항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각으로 사용되는 상기 산화물 전극은, 상기 분극 물질층에 산소를 공급하여 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각으로 사용되는 상기 산화물 전극과 상기 분극 물질층 사이 경계들에서의 산소 공공(Oxide vacancy)을 억제하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제13항에 있어서,상기 산화물 전극은, RuO2를 포함하는 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제12항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각으로 사용되는 상기 산화물 전극은, 금속 질화물(Metal nitride) 및 금속 산화물(Metal oxide) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 하부 배리어층 또는 상부 배리어층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제15항에 있어서,상기 금속 질화물은, TiAlN, TiN, TaN, ZrN 및 HfN 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제15항에 있어서,상기 금속 산화물은, HfO2, ZrO2 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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제12항에 있어서,상기 분극 물질층을 갖는 소자는, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이 일함수(Work-function)의 차이가 존재하지 않음에 기반하여 3단자 소자로 사용되는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자
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분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법에 있어서,금속 질화물(Metal nitride) 및 금속 산화물(Metal oxide) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 하부 배리어층을 준비하는 단계; 상기 하부 배리어층 상에 하부 전극으로 사용되는 산화물 전극을 형성하는 단계; 상기 산화물 전극 상에 분극 물질층(Polarizable material layer)을 형성하는 단계; 및상기 분극 물질층 상에 상부 전극으로 사용되는 상기 산화물 전극 및 상기 상부 전극과 맞닿은 채 금속 질화물 및 금속 산화물 중 어느 하나의 물질로 형성되는 상부 배리어층을 배치하는 단계를 포함하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 산화물 전극을 형성하는 단계는, 상기 분극 물질층에 산소를 공급하여 상기 하부 전극으로 사용되는 상기 산화물 전극과 상기 분극 물질층 사이 경계에서의 산소 공공(Oxide vacancy)을 억제하는 상기 산화물 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 산화물 전극 및 상기 상부 배리어층을 배치하는 단계는, 상기 분극 물질층에 산소를 공급하여 상기 상부 전극으로 사용되는 상기 산화물 전극과 상기 분극 물질층 사이 경계에서의 산소 공공을 억제하는 상기 산화물 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 산화물 전극 및 상기 상부 배리어층을 배치하는 단계는, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이 일함수(Work-function)의 차이가 존재하지 않음에 기반하여 상기 분극 물질층을 갖는 소자가 3단자 소자로 사용될 수 있도록 상기 하부 전극과 동일하게 상기 산화물 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 분극 물질층을 갖는 소자의 제조 방법
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