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일정 레벨의 바이어스 전류를 발생하는 바이어스 회로; 그리고
상기 바이어스 전류에 응답해서 온도가 증가할수록 증가하는 제 1 전압과 상기 온도가 증가할수록 감소하는 제 2 전압을 발생하고, 상기 제 1 및 제 2 전압들의 합에 해당되는 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부를 포함하고,
상기 기준전압 발생부는, 상기 바이어스 전류에 의한 전압 강하분을 상기 제 1 전압으로 발생하는 N+ 디퓨젼 저항; 그리고 에미터 단자를 통해 상기 바이어스 전류를 받아들이고, 상기 에미터 단자와 베이스 단자의 전압 차이를 상기 제 2 전압으로 발생하는 바이폴라 트랜지스터를 포함하고,
상기 온도에 따른 상기 N+ 디퓨젼 저항의 저항값의 변화에 의해서 상기 온도의 변화에 따른 상기 제 2 전압의 변동분이 상쇄되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압은 전압 변동의 방향이 반대이고, 전압의 증가 내지 감소분은 동일한 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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3
제 1 항에 있어서,
상기 기준전압 발생부는
상기 제 1 전압을 발생하는 상기 N+ 디퓨젼 저항 1개와, 상기 제 2 전압을 발생하는 상기 바이폴라 트랜지스터 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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제 1 항에 있어서,
상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 단자는 상기 베이스 단자에 접속된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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6
제 1 항에 있어서,
상기 바이어스 회로는,
전원전압에 응답해서 초기전류를 발생하는 초기전류 발생부;
상기 초기전류에 응답해서, 일정 레벨의 상기 바이어스 전류를 발생하는 바이어스 전류 발생부; 그리고
상기 바이어스 전류를 복사하여 상기 기준전압 발생회로로 제공하는 바이어스 전류 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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7
제 6 항에 있어서,
상기 바이어스 전류 발생부는
상기 초기 전류에 응답해서 상기 바이어스 전류를 발생하고, 상기 발생된 바이어스 전류를 상호 복사하는 캐스코드 커런트 미러회로; 그리고
상기 바이어스 전류의 크기를 조절하는 제 1 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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8 |
8
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 저항은 하이 폴리 저항인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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9
제 7 항에 있어서,
상기 바이어스 전류 발생부는, 상기 캐스코드 커런트 미러회로의 최소 동작전압을 조절하는 제 2 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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10
제 6 항에 있어서,
상기 바이어스 전류 공급부는 상기 바이어스 전류 발생부와 커런트 미러를 형성하는 복수의 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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11
제 10 항에 있어서,
상기 복수의 트랜지스터들은, 상기 바이어스 전류 발생부와 캐스코드 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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12
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 저항 및 상기 제 2 저항은 상기 캐스코드 커런트 미러회로의 최소 동작전압을 2Vgs - 2Vth로 작게 조절하며,
상기 Vgs는 상기 바이폴라 트랜지스터의 게이트와 소오스간 전압 차이를 의미하고, 상기 Vth는 상기 바이폴라 트랜지스터의 드레솔드 전압을 의미하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
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전원전압에 응답해서 초기전류를 발생하는 단계;
상기 초기전류에 응답해서, 일정 레벨의 바이어스 전류를 발생하는 단계;
상기 바이어스 전류를 복사하는 단계; 그리고
상기 복사된 바이어스 전류에 응답해서 온도가 증가할수록 증가하는 제 1 전압과 상기 온도가 증가할수록 감소하는 제 2 전압을 발생하고, 상기 제 1 및 제 2 전압들의 합에 해당되는 전압을 기준전압으로서 발생하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 전압은 상기 바이어스 전류에 의한 N+ 디퓨젼 저항의 전압 강하분에 대응되고,
상기 제 2 전압은 상기 바이어스 전압을 에미터 단자로 받아들이는 바이폴라 트랜지스터의 상기 에미터 단자와 베이스 단자의 전압 차이에 대응되고,
상기 온도에 따른 상기 N+ 디퓨젼 저항의 저항값의 변화에 의해서 상기 온도의 변화에 따른 상기 제 2 전압의 변동분이 상쇄되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생 방법
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