맞춤기술찾기

이전대상기술

기준전압 발생 장치 및 방법, 그리고 그것을 포함하는집적회로 장치

  • 기술번호 : KST2014040596
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 여기에 개시된 기준전압 발생회로는, 일정 레벨의 바이어스 전류를 발생하는 바이어스 회로, 그리고 상기 바이어스 전류에 응답해서 온도가 증가할수록 증가하는 제 1 전압과 상기 온도가 증가할수록 감소하는 제 2 전압을 발생하고, 상기 제 1 및 제 2 전압들의 합에 해당되는 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부를 포함한다. 본 발명에 따른 기준전압 발생회로는 기준전압을 발생함에 있어서 차동 증폭회로를 사용하지 않기 때문에, 회로의 사이즈가 현저히 감소 된다. reference voltage, 기준 전압, 기준 전류
Int. CL G11C 5/14 (2006.01.01) G05F 3/16 (2006.01.01) H03F 3/45 (2006.01.01)
CPC G11C 5/147(2013.01) G11C 5/147(2013.01) G11C 5/147(2013.01)
출원번호/일자 1020070083379 (2007.08.20)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0911149-0000 (2009.07.31)
공개번호/일자 10-2009-0019154 (2009.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20090807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.20)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이동석 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 노정진 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0599075-39
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0603732-79
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0345245-41
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0609400-01
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0677255-04
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0677254-58
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0042857-34
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0189525-03
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0189523-12
11 등록결정서
Decision to grant
2009.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0311459-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일정 레벨의 바이어스 전류를 발생하는 바이어스 회로; 그리고 상기 바이어스 전류에 응답해서 온도가 증가할수록 증가하는 제 1 전압과 상기 온도가 증가할수록 감소하는 제 2 전압을 발생하고, 상기 제 1 및 제 2 전압들의 합에 해당되는 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부를 포함하고, 상기 기준전압 발생부는, 상기 바이어스 전류에 의한 전압 강하분을 상기 제 1 전압으로 발생하는 N+ 디퓨젼 저항; 그리고 에미터 단자를 통해 상기 바이어스 전류를 받아들이고, 상기 에미터 단자와 베이스 단자의 전압 차이를 상기 제 2 전압으로 발생하는 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 온도에 따른 상기 N+ 디퓨젼 저항의 저항값의 변화에 의해서 상기 온도의 변화에 따른 상기 제 2 전압의 변동분이 상쇄되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압은 전압 변동의 방향이 반대이고, 전압의 증가 내지 감소분은 동일한 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기준전압 발생부는 상기 제 1 전압을 발생하는 상기 N+ 디퓨젼 저항 1개와, 상기 제 2 전압을 발생하는 상기 바이폴라 트랜지스터 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 단자는 상기 베이스 단자에 접속된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 바이어스 회로는, 전원전압에 응답해서 초기전류를 발생하는 초기전류 발생부; 상기 초기전류에 응답해서, 일정 레벨의 상기 바이어스 전류를 발생하는 바이어스 전류 발생부; 그리고 상기 바이어스 전류를 복사하여 상기 기준전압 발생회로로 제공하는 바이어스 전류 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 바이어스 전류 발생부는 상기 초기 전류에 응답해서 상기 바이어스 전류를 발생하고, 상기 발생된 바이어스 전류를 상호 복사하는 캐스코드 커런트 미러회로; 그리고 상기 바이어스 전류의 크기를 조절하는 제 1 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 저항은 하이 폴리 저항인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 바이어스 전류 발생부는, 상기 캐스코드 커런트 미러회로의 최소 동작전압을 조절하는 제 2 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 바이어스 전류 공급부는 상기 바이어스 전류 발생부와 커런트 미러를 형성하는 복수의 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 복수의 트랜지스터들은, 상기 바이어스 전류 발생부와 캐스코드 커런트 미러를 구성하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 저항 및 상기 제 2 저항은 상기 캐스코드 커런트 미러회로의 최소 동작전압을 2Vgs - 2Vth로 작게 조절하며, 상기 Vgs는 상기 바이폴라 트랜지스터의 게이트와 소오스간 전압 차이를 의미하고, 상기 Vth는 상기 바이폴라 트랜지스터의 드레솔드 전압을 의미하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로
13 13
전원전압에 응답해서 초기전류를 발생하는 단계; 상기 초기전류에 응답해서, 일정 레벨의 바이어스 전류를 발생하는 단계; 상기 바이어스 전류를 복사하는 단계; 그리고 상기 복사된 바이어스 전류에 응답해서 온도가 증가할수록 증가하는 제 1 전압과 상기 온도가 증가할수록 감소하는 제 2 전압을 발생하고, 상기 제 1 및 제 2 전압들의 합에 해당되는 전압을 기준전압으로서 발생하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 전압은 상기 바이어스 전류에 의한 N+ 디퓨젼 저항의 전압 강하분에 대응되고, 상기 제 2 전압은 상기 바이어스 전압을 에미터 단자로 받아들이는 바이폴라 트랜지스터의 상기 에미터 단자와 베이스 단자의 전압 차이에 대응되고, 상기 온도에 따른 상기 N+ 디퓨젼 저항의 저항값의 변화에 의해서 상기 온도의 변화에 따른 상기 제 2 전압의 변동분이 상쇄되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생 방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.