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반도체 메모리 장치 및 그것의 테스트 방법

  • 기술번호 : KST2014041458
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 테스트 방법은: 제 1 메모리 셀 및 제 2 메모리 셀에 동일한 데이터를 기입하는 단계; 상기 제 2 메모리 셀에 기입된 상기 데이터가 변경되도록 상기 제 2 메모리 셀에 테스트 전압을 인가하는 단계; 및 상기 제 1 메모리 셀의 데이터 변경 여부를 검출하는 단계를 포함한다. 테스트 전압, 크로스토크, 커플링 커패시터
Int. CL G11C 29/14 (2006.01.01) G11C 29/12 (2015.01.01)
CPC G11C 29/14(2013.01)G11C 29/14(2013.01)G11C 29/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070083963 (2007.08.21)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0919819-0000 (2009.09.24)
공개번호/일자 10-2009-0019491 (2009.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20091001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백상현 대한민국 서울 서초구
2 배종선 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0603690-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015325-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0531320-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0846982-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0846307-00
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0108136-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0223991-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 등록결정서
Decision to grant
2009.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0329329-47
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 있어서: 제 1 메모리 셀 및 제 2 메모리 셀에 동일한 데이터를 기입하는 단계; 상기 제 2 메모리 셀에 기입된 상기 데이터가 변경되도록 상기 제 2 메모리 셀에 테스트 전압을 인가하는 단계; 및 상기 제 1 메모리 셀의 데이터 변경 여부를 검출하는 단계를 포함하되, 상기 테스트 전압은 네거티브 전압인 테스트 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 메모리 셀과 상기 제 2 메모리 셀은 동일한 열에 속하며, 서로 인접한 제 1 및 제 2 워드라인들에 각각 연결되는 테스트 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 메모리 셀의 데이터 변경여부를 검출하는 단계에서는 상기 제 1 메모리 셀에 대한 읽기 동작을 수행하고, 상기 제 1 메모리 셀의 데이터가 변경되는 지의 여부를 검출하는 테스트 방법
5 5
반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 있어서: 제 1 워드라인에 연결된 제 1 메모리 셀과 제 2 워드라인에 연결된 제 2 메모리 셀을 동일한 데이터로 기입하는 단계; 상기 제 2 메모리 셀에 기입된 상기 데이터가 변경되도록 상기 제 2 메모리 셀이 연결된 비트라인으로 테스트 전압을 인가하는 단계; 상기 제 1 메모리 셀에 기입된 상기 데이터의 변경여부를 판별하는 단계; 및 상기 제 1 메모리 셀에 기입된 상기 데이터가 변경되지 않은 것으로 판별될 때, 상기 테스트 전압을 소정 레벨만큼 단계적으로 감소시키면서 상기 1 메모리 셀의 데이터 변경 유무를 판별하는 단계를 포함하되, 상기 테스트 전압은 네거티브 전압인 테스트 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 판별결과로서 상기 제 1 메모리 셀의 데이터가 변경되었을 때, 상기 테스트 전압의 크기로부터 기생 커패시터 값을 진단하는 단계를 더 포함하는 테스트 방법
7 7
삭제
8 8
제 1 및 제 2 메모리 셀들; 상기 제 1 메모리 셀과 상기 제 2 메모리 셀에 동일한 데이터를 기입하도록 구성된 기입회로; 상기 제 2 메모리 셀의 데이터가 변경되도록 상기 제 2 메모리 셀에 테스트 전압을 인가하는 테스트 전압 인가회로; 및 상기 제 1 메모리 셀의 데이터가 변경되었는 지의 여부를 검출하는 검출 회로를 포함하되, 상기 테스트 전압은 네거티브 전압인 반도체 메모리 장치
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 기입회로는, 정상 동작시 복수의 비트라인들로 인가될 충전전압 및 방전전압을 발생하는 충전/방전 전압 발생기를 포함하는 반도체 메모리 장치
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 테스트 전압 인가회로는, 상기 테스트 전압을 발생하는 테스트 전압 발생기; 선택신호에 응답하여 상기 테스트 전압 및 상기 충전/방전 전압 발생기의 출력 전압 중 어느 하나를 비트라인으로 인가되도록 선택하는 선택회로; 및 상기 선택신호 발생기를 포함하되, 상기 비트라인은 제 1 및 제 2 메모리 셀들이 연결되어 있는 반도체 메모리 장치
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 테스트 전압을 상기 복수의 비트라인들에 인가되도록 선택하는 복수의 멀티 플렉서들을 포함하며, 상기 복수의 멀티 플렉서들은 각각 상기 복수의 비트라인들에 연결되어 있는 반도체 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.