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치환 도금법을 이용한 금속 구조체 및 탄소나노튜브제조방법
- 기술번호 : KST2015121228
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 치환 도금법을 이용한 금속 구조체 및 탄소나노튜브 제조방법이 제공된다.본 발명은, 기판상에 제1 금속층을 형성하는 공정; 상기 제1 금속층 소정의 위치에, 제1 금속층의 상부에서 하부로 적어도 그 제1 금속의 일부를 제2 금속으로 치환 도금함으로써 제2 금속층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 중 선택된 하나를 에칭하는 공정;을 포함하는 금속구조체 제조방법에 관한 것이다.치환 도금, 금속 구조체, 나노 와이어, 탄소 나노튜브 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060099611 (2006.10.13) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0785522-0000 (2007.12.06) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20071213) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.10.13) |
| 심사청구항수 | 48 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이병철 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 2 | 문성욱 | 대한민국 | 경기 남양주시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인씨엔에스 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0739105-27 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.05.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0033984-51 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0525367-45 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.11.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0849597-03 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.11.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0849595-12 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0649498-92 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판상에 제1 금속층을 형성하는 공정;상기 제1 금속층 소정의 위치에, 제1 금속층의 상부에서 하부로 적어도 그 제1 금속의 일부를 제2 금속으로 치환 도금함으로써 제2 금속층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 중 선택된 하나를 에칭하는 공정;을 포함하는 금속구조체 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 제 1 금속층과 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 제1 금속층은 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 치환 도금과 에칭공정을 반복하여 수행함을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 치환 도금 후 그 적층체를 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 제2 금속층은 상기 제1 금속층과 동일한 결정성을 가짐을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 8 |
8 기판상에 제1 금속층을 형성하는 공정;상기 제1 금속층상에 포토레지스트를 도포한 후, 통상의 방법으로 노광, 현상함으로써 소정의 패턴을 형성하는 공정;상기 패턴 형성으로 노출된 제1 금속층 중 적어도 일부를 제2 금속층으로 치환 도금한후, 상기 포토레지스트를 제거하는 공정; 및 상기 제1 금속층 및 제2 금속층 중 선택된 하나를 에칭하는 공정;을 포함하는 금속 구조체 제조방법 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 제 1 금속층과 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 10 |
10 제 8항에 있어서, 상기 제1 금속층은 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 11 |
11 제 8항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 12 |
12 제 8항에 있어서, 상기 치환 도금과 에칭공정을 반복하여 수행함을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 13 |
13 제 8항에 있어서, 상기 치환 도금 후 그 적층체를 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 14 |
14 제 8항에 있어서, 상기 제2 금속층은 상기 제1 금속층과 동일한 결정성을 가짐을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 15 |
15 제 8항의 제조방법을 이용하여 제조된 반도체 |
| 16 |
16 기판상에 소정의 패턴을 갖는 3차원 마이크로미터 단위의 제1 금속층을 형성하는 공정;상기 형성된 제1 금속층의 둘레를 따라 적어도 그 일부를 제2 금속층으로 치환 도금하는 공정; 및 상기 형성된 제2 금속층을 에칭함으로써 3차원 나노미터 단위의 제1 금속층을 형성하는 공정;을 포함하는 금속 구조체 제조방법 |
| 17 |
17 제 16항에 있어서, 제 1 금속층과 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 18 |
18 제 16항에 있어서, 상기 제1 금속층은 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 19 |
19 제 16항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 20 |
20 제 16항에 있어서, 상기 치환 도금과 에칭공정을 반복하여 수행함을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 21 |
21 제 16항의 방법으로 형성된 나노미터 크기의 금속 구조체를 마스크로 이용해서, 기판을 에칭함으로써 나노미터 패턴을 갖는 기판의 제조방법 |
| 22 |
22 제 16항의 제조방법을 이용하여 제조된 금속 나노와이어 |
| 23 |
23 기판상에 제1 금속층을 형성하는 공정;상기 제1 금속층 상에 포토레지스트를 도포한 후, 통상의 노광, 현상공정을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정; 상기 패턴 형성을 통하여 노출된 제1 금속층을 에칭함으로써, 그 상부에 포토레지스트 도포된 3차원 마이크로미터 단위의 제1 금속층을 기판상에 형성하는 공정; 상기 제1 금속층의 측방 둘레를 따라 적어도 그 일부를 제2 금속층으로 치환 도금한 후, 상기 포토레지스트를 제거하는 공정; 및 상기 제1 금속층을 에칭함으로써 3차원 나노미터 단위의 제2 금속층을 형성하는 공정;을 포함하는 금속 구조체 제조방법 |
| 24 |
24 제 23항에 있어서, 제 1 금속층과 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 25 |
25 제 23항에 있어서, 상기 제1 금속층은 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 26 |
26 제 23항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 27 |
27 제 23항에 있어서, 상기 치환 도금과 에칭공정을 반복하여 수행함을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 28 |
28 제 23항에 있어서, 상기 제2 금속층은 상기 제1 금속층과 동일한 결정성을 가짐을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 29 |
29 제 23항에 있어서, 상기 치환 도금 후 그 적층체를 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속구조체 제조방법 |
| 30 |
30 제 23항의 제조방법을 이용하여 제조된 금속 나노와이어 |
| 31 |
31 제 23항의 방법으로 형성된 나노미터 크기의 금속 구조체를 마스크로 이용해서, 기판을 에칭함으로써 나노미터 패턴을 갖는 기판의 제조방법 |
| 32 |
32 기판상에 소정의 패턴을 갖는 제1 금속층을 형성하는 공정;상기 제1 금속층 상부에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 패턴을 갖는 제1 금속층의 적어도 일부가 노출되도록 상기 포토레지스트를 노광, 현상하는 공정;상기 패턴 형성으로 노출된 제1 금속층 중 적어도 일부를 제2 금속층으로 치환 도금한후, 상기 포토레지스트를 제거하는 공정; 및 상기 제2 금속층을 에칭하는 공정;을 포함하는 3차원 형태의 금속 구조체 제조방법 |
| 33 |
33 제 32항에 있어서, 제 1 금속층과 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 34 |
34 제 32항에 있어서, 상기 제1 금속층은 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 35 |
35 제 32항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 36 |
36 제 32항의 제조방법을 이용하여 제조된 균일한 나노미터 높이를 가지는 3차원 격자 커플러(grating coupler) |
| 37 |
37 기판상에 제1 금속층을 형성하는 제1 공정;상기 제1 금속층상에 포토레지스트를 도포한 후, 통상의 방법으로 노광, 현상함으로써 소정의 패턴을 갖는 포토레지스트를 형성하는 제2 공정;상기 패턴 형성으로 노출된 제1 금속층을 등방성 에칭하는 제3 공정;상기 에칭처리된 제1 금속층의 적어도 일부를 제2 금속층으로 치환 도금한후, 상기 포토레지스트를 제거하는 공정; 및 상기 제2 금속층을 에칭함으로써 나노패턴을 갖는 금속 나노팁을 형성하는 공정;을 포함하는 금속 구조체 제조방법 |
| 38 |
38 제 37항에 있어서, 제 1 금속층과 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 39 |
39 제 37항에 있어서, 상기 제1 금속층은 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 40 |
40 제 37항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 41 |
41 제 37항에 있어서, 상기 치환 도금과 에칭공정을 반복하여 수행함을 특징으로 하는 금속 구조체 제조방법 |
| 42 |
42 기판상에 소정의 패턴을 갖는 제1 금속 촉매를 형성하는 형성;상기 형성된 제1 금속 촉매의 둘레를 따라 적어도 그 일부를 제2 금속층으로 치환 도금하는 공정; 상기 제2 금속층을 에칭함으로써 나노패턴을 갖는 제1 금속 촉매를 형성하는 공정; 및 상기 제1 금속 촉매로부터 탄소나노튜브를 성장시키는 공정;을 포함하는 탄소나노튜브 제조방법 |
| 43 |
43 제 42항에 있어서, 제 1 금속 촉매와 제2 금속층은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh,Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 1종 이상으로 조성된 것임을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 제조방법 |
| 44 |
44 제 42항에 있어서, 상기 제1 금속 촉매는 전기 도금, 스퍼터링(sputtering), 이베퍼래이팅(evaporating), 화학기상증착법(CVD)법 중 선택된 1종의 방법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 제조방법 |
| 45 |
45 제 42항에 있어서, 상기 치환 도금은 Fe, Cd, Pb, Pd, Rh, Ru, As, Sn, Ag, Cu, Ni, Zn, Au, Co, Al, Pt 중 선택된 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 치환 도금용액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 제조방법 |
| 46 |
46 제 42항에 있어서, 상기 치환 도금과 에칭공정을 반복하여 수행함을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 제조방법 |
| 47 |
47 제 8항의 제조방법을 이용하여 제조된 MEMS |
| 48 |
48 제 8항의 제조방법을 이용하여 제조된 NEMS 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0785522-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061013 출원 번호 : 1020060099611 공고 연월일 : 20071213 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071130 청구범위의 항수 : 48 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 치환 도금법을 이용한 금속 구조체 및 탄소나노튜브제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20131207 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울 성북구... |
| 2 |
(권리자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 3 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 3 |
(의무자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,336,500 원 | 2007년 12월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 1,096,000 원 | 2010년 02월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 1,096,000 원 | 2010년 02월 11일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 1,096,000 원 | 2012년 12월 03일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0739105-27 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.05.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2007.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0033984-51 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2007.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0525367-45 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.11.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0849597-03 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.11.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0849595-12 |
| 7 | 등록결정서 | 2007.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0649498-92 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350007219 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E19510 |
| 연구과제명 | 단백질검출용나노바이오시스템개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200601~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
| 과제고유번호 | 1350007219 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E19510 |
| 연구과제명 | 단백질검출용나노바이오시스템개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200601~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
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