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(a) 탄소나노튜브층을 형성하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브층 표면에 금속 나노 파티클을 분산 도포하고 상기 금속 나노 파티클을 산화시켜 상기 탄소나노튜브층에 분산되어 있는 형태로 배치되는 산화금속 나노 파티클층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 산화금속 나노 파티클층 위에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화금속 나노 파티클층을 0
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는 기상증착법(vapor deposition)으로 상기 탄소나노튜브층 위에 상기 금속 나노 파티클을 증착하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는 알루미늄(Al)으로 상기 금속 나노 파티클을 제공하여 산화알루미늄(AlOx)으로 상기 산화금속 나노 파티클층을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 금(Au), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 금속을 이용하여 상기 금속 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 의한 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자
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다수의 탄소나노튜브로 이루어지는 탄소나노튜브층;상기 탄소나노튜브층 표면에 분산되어 있는 형태로 배치되는 산화금속 나노 파티클층; 및상기 산화금속 나노 파티클층의 상면에 마련되는 금속 전극을 포함하며,상기 산화금속 나노 파티클층의 두께는 0
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제 7 항에 있어서,상기 산화금속 나노 파티클층은 산화알루미늄(AlOx)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자
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제 7 항에 있어서,상기 금속 전극은 금(Au), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자
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제 7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브층의 하부에 배치되는 기판; 및상기 기판과 상기 탄소나노튜브층 사이에 개재되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자
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