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(a) 기판 위에 개시제 용액을 잉크젯 프린팅법으로 도포하여 상기 기판 위에 개시제 패턴을 형성하는 단계; 및(b) 상기 개시제 패턴이 형성된 상기 기판을 감압 챔버에 넣고 상기 감압 챔버에 전도성 고분자 단량체 증기를 공급하여, 상기 개시제 패턴 위에 상기 전도성 고분자 단량체를 응집 및 중합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에 상기 기판에 상기 개시제 용액이 원활하게 인쇄될 수 있도록 상기 기판 표면을 친수성이 향상되도록 표면 개질하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 기판에 대한 친수성 표면 개질은 O2 플라즈마 표면처리를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrene sulfonate), PANI(polyaniline), PPy(polypyrrole), PT(polythiophene), PA(polyacetylene), PPV(poly para-phenylene vinylene) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 개시제 용액은 APS(ammonium persulfate), CuCl2, FeCl3 중에서 선택된 개시제와 증류수를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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제 5 항에 있어서,상기 개시제 용액은 PSS(poly(4-styrenesulfonate))를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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제 6 항에 있어서,상기 개시제 용액 중에 상기 PSS의 함유량은 5wt% ~ 9wt%인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 전극의 형성방법
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(a) 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 기판 위에 상기 게이트 전극을 덮도록 절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 절연층 위에 반도체층을 형성하는 단계;(d) 상기 절연층 위에 개시제 용액을 잉크젯 프린팅법으로 도포하여 상기 절연층 위에 상기 반도체층과 접하는 제 1 개시제 패턴을 형성하는 단계;(e) 상기 절연층 위에 개시제 용액을 잉크젯 프린팅법으로 도포하여 상기 절연층 위에 상기 제 1 개시제 패턴과 이격되고 상기 반도체층과 접하는 제 2 개시제 패턴을 형성하는 단계; 및(f) 상기 게이트 전극, 상기 절연층, 상기 반도체층, 상기 제 1 개시제 패턴 및 상기 제 2 개시제 패턴이 형성된 상기 기판을 감압 챔버에 넣고 상기 감압 챔버에 전도성 고분자 단량체 증기를 공급하여, 상기 제 1 개시제 패턴 위에 상기 전도성 고분자 단량체를 응집 및 중합시킴으로써 상기 제 1 개시제 패턴 형상대로 소스 전극을 형성하고, 상기 제 2 개시제 패턴 위에 상기 전도성 고분자 단량체를 응집 및 중합시킴으로써 상기 제 2 개시제 패턴 형상대로 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (c) 단계 이후 상기 (d) 단계 이전에, 상기 반도체층에 상기 개시제 용액이 원활하게 인쇄될 수 있도록 상기 반도체층의 표면을 친수성이 향상되도록 표면 개질하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 반도체층에 대한 친수성 표면 개질은 O2 플라즈마 표면처리를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrene sulfonate), PANI(polyaniline), PPy(polypyrrole), PT(polythiophene), PA(polyacetylene), PPV(poly para-phenylene vinylene) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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12
제 8 항에 있어서,상기 개시제 용액은 APS(ammonium persulfate), CuCl2, FeCl3 중에서 선택된 개시제와 증류수를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 개시제 용액은 PSS(poly(4-styrenesulfonate))를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 개시제 용액 중에 상기 PSS의 함유량은 5wt% ~ 9wt%인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 절연층은 PVP(polyvinylphenol), PVA(polyvinylalcohol), PMMA 중에서 선택된 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 반도체층은 펜타센(pentacene), TIPS-펜타센, P3HT(Poly(3-alkyl)thiophene), PBTTT(poly(2,5-bis(3-alkylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) 중에서 선택된 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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