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탄소나노튜브를 이용한 금속 나노와이어 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015008417
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브를 이용하여 저온의 공정에서 손쉽게 제조가 가능하고 그 특성을 제어할 수 있는 탄소나노튜브를 이용한 금속 나노와이어 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 금속 나노와이어의 제조방법은, 탄소나노튜브를 준비하는 단계, 탄소나노튜브를 코팅하고자 하는 금속을 함유하는 금속 소재와 함께 금속의 이온이 함유된 전해질 용액에 담그는 단계, 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 금속 소재를 양극에 연결한 후 직류 전원을 공급하여 탄소나노튜브의 외측 둘레에 전해질 용액에 함유된 금속을 석출시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 전도성을 갖는 탄소나노튜브를 베이스로 하여 탄소나노튜브에 금속층을 전기 도금함으로써, 저온 공정에서 손쉽게 대면적의 금속 나노와이어를 구현할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01)
출원번호/일자 1020110034329 (2011.04.13)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1388839-0000 (2014.04.17)
공개번호/일자 10-2012-0116713 (2012.10.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130124427;
심사청구여부/일자 Y (2011.04.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성준 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김한기 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0271892-49
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0317635-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051966-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0089710-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0305198-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0305197-36
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570446-06
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0941143-22
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0947544-67
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0947547-04
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0120875-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브;상기 탄소나노튜브 외측 둘레의 일부를 감싸는 제 1 금속층과, 상기 제 1 금속층과 이격되도록 상기 탄소나노튜브 외측 둘레의 다른 일부를 감싸는 제 2 금속층을 구비하는 금속층; 및상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층 사이에 배치되도록 상기 탄소나노튜브 외측 둘레의 또 다른 일부를 감싸는 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
탄소나노튜브; 및상기 탄소나노튜브 외측 둘레의 일부를 감싸는 제 1 금속층과, 상기 제 1 금속층과 이격되도록 상기 탄소나노튜브 외측 둘레의 다른 일부를 감싸는 제 2 금속층을 구비하는 금속층; 및상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층 사이에 배치되도록 상기 탄소나노튜브 외측 둘레의 또 다른 일부를 감싸는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어
5 5
제 4 항에 있어서,상기 절연층은 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어
6 6
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브를 코팅하고자 하는 금속을 함유하는 금속 소재와 함께 상기 금속의 이온이 함유된 전해질 용액에 담그는 단계;(c) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 상기 전해질 용액에 함유된 상기 금속을 석출시키는 단계; (d) 상기 금속이 석출되어 형성된 금속층의 외측 둘레 일부에 보호층을 코팅하는 단계;(e) 상기 보호층이 코팅되지 않은 상기 금속층의 다른 일부를 산화시켜 산화 금속층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
7 7
삭제
8 8
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브의 일부를 제 1 금속을 함유하는 제 1 금속 소재와 함께 상기 제 1 금속의 이온이 함유된 제 1 전해질 용액에 담그는 단계; 및(c) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브 일부의 외측 둘레에 상기 제 1 전해질 용액에 함유된 상기 제 1 금속을 석출시키는 단계;(d) 상기 제 1 금속이 석출되어 형성된 제 1 금속층의 외측 둘레에 제 1 보호층을 형성하는 단계;(e) 상기 제 1 금속층 및 상기 제 1 보호층이 형성된 상기 탄소나노튜브를 제 2 금속을 함유하는 제 2 금속 소재와 함께 상기 제 2 금속의 이온이 함유된 제 2 전해질 용액에 담그는 단계;(f) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 제 2 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 제 1 보호층이 형성되지 않은 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 상기 제 2 전해질 용액에 함유된 상기 제 2 금속을 석출시키는 단계; 및(g) 상기 제 1 보호층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서,상기 (f) 단계와 상기 (g) 단계 사이에 상기 제 2 금속이 석출되어 형성된 제 2 금속층을 산화시켜 산화 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
11 11
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브의 일부를 제 1 금속을 함유하는 제 1 금속 소재와 함께 상기 제 1 금속의 이온이 함유된 제 1 전해질 용액에 담그는 단계;(c) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브 일부의 외측 둘레에 상기 제 1 전해질 용액에 함유된 상기 제 1 금속을 석출시키는 단계; 및(d) 상기 제 1 금속이 석출되어 형성된 제 1 금속층이 형성되지 않은 상기 탄소나노튜브의 다른 일부 외측 둘레에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
12 12
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브의 일부를 제 1 금속을 함유하는 제 1 금속 소재와 함께 상기 제 1 금속의 이온이 함유된 제 1 전해질 용액에 담그는 단계; (c) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브 일부의 외측 둘레에 상기 제 1 전해질 용액에 함유된 상기 제 1 금속을 석출시키는 단계; 및(d) 상기 제 1 금속이 석출되어 형성된 제 1 금속층이 형성되지 않은 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
13 13
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브의 일부를 제 1 금속을 함유하는 제 1 금속 소재와 함께 상기 제 1 금속의 이온이 함유된 제 1 전해질 용액에 담그는 단계;(c) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브 일부의 외측 둘레에 상기 제 1 전해질 용액에 함유된 상기 제 1 금속을 석출시키는 단계; 및(d) 상기 제 1 금속이 석출되어 형성된 제 1 금속층이 형성되지 않은 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
14 14
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브의 일부를 제 1 금속을 함유하는 제 1 금속 소재와 함께 상기 제 1 금속의 이온이 함유된 제 1 전해질 용액에 담그는 단계; (c) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브 일부의 외측 둘레에 상기 제 1 전해질 용액에 함유된 상기 제 1 금속을 석출시키는 단계; 및(d) 상기 제 1 금속이 석출되어 형성된 상기 제 1 금속층을 갖는 상기 탄소나노튜브를 뒤집어 상기 제 1 금속층이 형성되지 않은 상기 탄소나노튜브의 다른 일부를 제 2 금속을 함유하는 제 2 금속 소재와 함께 상기 제 2 금속의 이온이 함유된 제 2 전해질 용액에 담그는 단계;(e) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 제 2 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 제 2 전해질 용액에 침지된 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 상기 제 2 전해질 용액에 함유된 상기 제 2 금속을 석출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 (e) 단계 이후,(f) 상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속이 석출되어 형성된 제 2 금속층의 사이에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 (e) 단계 이후,(f) 상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속이 석출되어 형성된 제 2 금속층의 사이에 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 경기도 경희대학교 산학협력단 경기도 지역협력 연구센터 사업 (GRRC) 용액 공정용 TFT 유-무기 절연막 재료 연구