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메모리 셀 정보 저장 방법

  • 기술번호 : KST2015111727
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 셀에 정보를 저장하는 방법에 관한 것으로, 구동하려는 하나의 워드라인에 대해서 메모리 셀이 연결된 비트라인만을 통해 정보를 써넣는 구조를 도입하여 셀이 연결되지 않은 다른 비트라인이 천이됨으로써 발생하는 불필요한 전력소모를 줄여 메모리의 전체 소비전력을 감소시킬 수 있는 방법을 제공함에 있다. 이를 위해 본 발명은 한 쌍의 비트라인 신호차를 차동 증폭하여 출력하는 센스앰프들을 구비하는 메모리 셀 구조의 정보 저장방법에 있어서, 억세스하고자 하는 메모리 셀이 연결되어 있는 워드라인을 활성화시키는 단계와, 억세스하고자 하는 메모리 셀이 연결되어 있는 한 쌍의 비트라인 신호차를 차동 증폭하여 출력하는 단계와, 상기 메모리 셀이 연결되어 있는 비트라인만을 선택하여 정보를 재기록하는 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.비트라인, 전압레벨 천이, 프리차지.
Int. CL G11C 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000015697 (2000.03.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0368133-0000 (2003.01.02)
공개번호/일자 10-2001-0092954 (2001.10.27) 문서열기
공고번호/일자 (20030115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 국정훈 대한민국 서울특별시강남구
2 유회준 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0060020-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0101631-99
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0163105-80
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0197927-23
5 의견서
Written Opinion		 2002.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0197928-79
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0461205-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

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2 2

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한 쌍의 비트라인 신호차를 차동 증폭하여 출력하는 센스앰프와, 상기 한 쌍의 비트라인 각각과 센스앰프 사이에 접속되는 스위치 소자들을 구비하는 메모리 셀 구조의 정보 저장방법에 있어서,

읽기(read) 동작시는 상기 비트라인들과 센스앰프가 접속되도록 상기 스위치 소자들을 제어한 후 억세스하고자 하는 메모리 셀이 연결되어 있는 워드라인을 활성화시키고 상기 메모리 셀이 연결된 비트라인의 위치를 인식하는 과정; 상기 비트라인들과 센스앰프의 접속을 차단시킨 후 상기 한 쌍의 비트라인 신호차를 차동 증폭하여 출력하는 과정; 상기 메모리 셀이 연결되어 있는 비트라인 만이 센스앰프와 접속되도록 상기 스위치 소자들을 제어하여 정보를 재기록하는 과정; 그리고, 활성화되어 있는 상기 워드라인을 비활성화시킨후 상기 한 쌍의 비트라인을 프리차지시키는 과정;을 포함하며,

쓰기(write) 동작시는 셀 데이터를 증폭한 후 메모리 셀이 연결되어 있는 비트라인 만을 선택하여 셀 데이터를 기록하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀 정보 저장방법

4 4

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1 JP13273771 JP 일본 FAMILY
2 US06327204 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2001273771 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US6327204 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.