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다수의 워드라인들, 상기 워드라인들과 교차되는 비트라인들, 상기 각 워드라인에 연결된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되어 형성되며 캐패시터에 연결된 드레인 전극 및 상기 각 비트라인에 연결되고 상기 게이트 전극과 이격되어 형성되며 부착부 및 딤플이 형성된 이동부를 포함하는 소오스 전극을 포함하는 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법이고,상기 다수의 비트라인들 중에서 선택된 비트라인에는 제1전압(V1)을 인가하는 단계;상기 다수의 워드라인들 중에서 선택된 워드라인에는 상기 제1전압(V1)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 큰 제2전압(V2)을 인가하는 단계; 및상기 다수의 워드라인들 중에서 비 선택된 워드라인에는 상기 비트라인의 최소전압(VB/L,min)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 작고, 상기 비트라인의 최대전압(VB/L,max)과 상기 풀인전압(Vpi)의 차보다 큰 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법
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제1항에 있어서,상기 제1전압(V1)은,상기 메모리 어레이가 읽기동작 모드일 경우에는 읽기전압(Vread)이고, 상기 읽기전압은 상기 쓰기전압(Vwrite)과 상기 지우기전압(Verase)을 더한 값의 중간값인, 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법
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제1항에 있어서,상기 제1전압(V1)은, 상기 메모리 어레이가 쓰기 동작모드일 경우에는 쓰기전압(Vwrite)이고, 상기 다수의 비트라인들 중에서 비 선택된 비트라인에 확인전압(Vpre-write)을 인가하는 단계를 더 포함하며,상기 확인전압(Vpre-write)은, 쓰기 동작전 읽기동작으로 선택된 워드라인과 비 선택된 비트라인들과 교차하는 메모리 셀의 커패시터에 저장되어 있는 전압인, 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법
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제1항에 있어서,상기 제1전압(V1)은, 상기 메모리 어레이가 지우기 동작모드일 경우에는 지우기전압(Verase)이고,상기 다수의 비트라인들 중에서 비 선택된 비트라인에 확인전압(Vpre-erase)을 인가하는 단계를 더 포함하며,상기 확인전압(Vpre-erase)은, 지우기 동작전 읽기동작으로 선택된 워드라인과 비 선택된 비트라인들과 교차하는 메모리 셀의 커패시터에 저장되어 있는 전압인, 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법
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다수의 워드라인들, 상기 워드라인들과 교차되는 비트라인들, 상기 각 워드라인에 연결된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되어 형성되며 캐패시터에 연결된 드레인 전극 및 상기 각 비트라인에 연결되고 상기 게이트 전극과 이격되어 형성되며 부착부 및 딤플이 형성된 이동부를 포함하는 소오스 전극을 포함하는 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법이고,상기 다수의 비트라인들 중에서 선택된 둘 이상의 비트라인에는 크기가 서로 다른 쓰기전압(Vwrite) 또는 지우기전압(Verase)들을 각각 인가하는 단계;상기 다수의 워드라인들 중에서 선택된 워드라인에는 상기 쓰기전압 또는 지우기전압들 중에서 가장 큰 최대전압(Vwrite-max)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 큰 전압을 인가하는 단계; 및상기 다수의 비트라인들 중에서 비 선택된 비트라인에는 상기 지우기전압(Verase)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 작고, 상기 최대쓰기전압(Vwrite-max)과 상기 풀인전압의 차보다 작은 전압을 인가하는 단계를 포함하는 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법
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다수의 워드라인들, 상기 워드라인들과 교차되는 비트라인들, 상기 각 워드라인에 연결된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되어 형성되며 캐패시터에 연결된 드레인 전극 및 상기 각 비트라인에 연결되고 상기 게이트 전극과 이격되어 형성되며 부착부 및 딤플이 형성된 이동부를 포함하는 소오스 전극을 포함하는 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법이고,상기 다수의 비트라인 중에서 선택된 비트라인에는 쓰기전압(Vwrite) 또는 지우기전압(Verase)을 인가하는 단계;상기 다수의 워드라인 중에서 선택된 워드라인에는 상기 쓰기전압(Vwrite)과 풀인전압(Vpi)의 합보다 큰 전압을 인가하는 단계; 및상기 다수의 워드라인 중에서 비 선택된 워드라인에는 상기 지우기전압(Verase)과 상기 풀인전압(Vpi)의 합보다 작고 상기 쓰기전압(Vwrite) 보다 큰 전압 또는 상기 쓰기전압(Vwrite)과 상기 풀인전압(Vpi)의 차보다 작고 상기 지우기전압(Verase)보다 큰 전압을 인가하는 단계를 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법
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