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저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법

  • 기술번호 : KST2015117576
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법에 관한 것으로서, 반도체 메모리 장치에 새로운 데이터를 쓰고자 할 때 이미 저장된 데이터와 쓰고자 하는 새로운 데이터가 동일할 경우 쓰기 구동회로를 동작시키지 않음으로써 전력소모를 줄일 수 있는 이점이 있다. 저전력, 반도체, 메모리장치, 메모리셀, 쓰기 인가신호, 컬럼콘트롤러
Int. CL G11C 7/00 (2006.01)
CPC G11C 7/1096(2013.01) G11C 7/1096(2013.01) G11C 7/1096(2013.01)
출원번호/일자 1020010076103 (2001.12.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0405938-0000 (2003.11.04)
공개번호/일자 10-2003-0045395 (2003.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20031114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용하 대한민국 대전광역시유성구
2 최성대 대한민국 대전광역시유성구
3 유회준 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2001-0318864-61
2 등록결정서
Decision to grant		 2003.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0424846-74
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

데이터를 저장하는 메모리 셀과 메모리 셀에 입출력되는 데이터를 제어하는 메모리 콘트롤러를 포함하여 이루어진 반도체 메모리 장치에 있어서,

상기 메모리 콘트롤러에서 출력되는 쓰기신호가 입력될 때 메모리 셀로부터 읽어낸 데이터와 메모리 셀에 쓰기 위한 데이터가 서로 다를 경우에만 쓰기 인가신호를 발생시키는 쓰기 인가신호 발생부와,

상기 쓰기 인가신호 발생부에서 출력되는 쓰기 인가신호에 의해 메모리 셀에 데이터를 기록하는 쓰기 구동부

를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저전력 반도체 메모리 장치

2 2

제 1항에 있어서, 상기 쓰기 인가신호 발생부에서 출력되는 쓰기 인가신호나 메모리 콘트롤러에서 출력되는 읽기 인가신호가 활성화되고 메모리 콘트롤러에서 출력되는 컬럼 선택신호가 활성화될 때 메모리 셀의 각각의 컬럼 게이트들을 각각의 비트별로 제어하기 위한 제어신호를 활성화시키는 컬럼 콘트롤러

를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저전력 반도체 메모리 장치

3 3

반도체 메모리장치의 작동방법에 있어서,

데이터를 쓰고자 하는 메모리 셀에 저장된 데이터 비트를 읽어내는 단계와,

상기에서 읽어낸 데이터 비트와 쓰고자 하는 데이터 비트를 비교하는 단계와,

상기에서 비교한 결과 읽어낸 데이터 비트와 쓰고자 하는 데이터 비트가 다를 경우에는 쓰기 인가신호를 출력하는 단계와,

상기 쓰기 인가신호에 의해 데이터를 쓰고자 하는 메모리 셀에 데이터 비트를 쓰는 단계

로 이루어진 것을 특징으로 하는 저전력 반도체 메모리 장치의 작동방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 쓰기 인가신호나 읽기 인가신호가 활성화되고 컬럼선택신호가 활성화될 때 컬럼 게이트 제어신호를 각각의 비트별로 활성화시켜 제어하는 단계

를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저전력 반도체 메모리 장치의 작동방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.