맞춤기술찾기

이전대상기술

저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

  • 기술번호 : KST2015114940
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기억 소자, 즉 메모리에서 소모되는 전력을 줄이기 위한 설계 방법으로서 전기신호의 논리상태를 저장하는 복수개의 메모리 셀이 N개의 행과 M개의 열로 배열되어 있는 메모리 셀 어레이와 필요한 경우 각 메모리 셀의 논리상태를 반전시키고 관리할 수 있는 수단을 구비하고 있는 메모리를 제공하며, 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 가능한 범위 내에서 임의의 크기와 모양을 가지는 블록영역으로 세분하는 제 1과정과, 제 1과정을 통해 세분되어진 각 블록 영역에서 소비되는 전력량을 해당 블록의 논리반전으로 줄일 수 있는가를 정적 또는 동적으로 판단하고 필요에 따라 반전 저장 및 관리하는 제 2과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 및 운용 방법에 관한 것이다.
Int. CL G11C 7/00 (2006.01)
CPC G06F 3/064(2013.01) G06F 3/064(2013.01) G06F 3/064(2013.01)
출원번호/일자 1019990033364 (1999.08.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0326940-0000 (2002.02.20)
공개번호/일자 10-2001-0017704 (2001.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.09.15)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경종민 대한민국 대전광역시유성구
2 장유성 대한민국 경기도오산

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-0095076-18
2 출원심사청구서
Request for Examination
1999.09.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-5333272-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0135519-89
4 의견서
Written Opinion
2001.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-0180234-70
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0180237-17
6 등록결정서
Decision to grant
2002.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0041599-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

청구항1는 삭제 되었습니다

2 2

전기신호의 논리상태를 저장 가능한 복수개의 메모리 셀이 N개의 행과 M개의 열로 배열되어 있는 메모리 셀 어레이와 필요한 경우 각 메모리 셀의 논리 상태를 반전시키고 관리할 수 있는 수단을 포함하는 메모리에 대해 메모리의 데이터 저장 방법에 있어서:

상기 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 가능한 범위 내에서 임의의 크기와 모양을 가지는 블록영역으로 세분하는 제 1과정과;

상기 제 1과정을 통해 세분되어진 각 블록 영역에서 소비되는 전력량을 해당 블록의 논리반전으로 줄일 수 있는가를 정적 또는 동적으로 판단하고 전력 소비가 줄어든다고 판단되는 경우 해당 블록을 반전 저장 및 관리하는 제 2과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 및 운용 방법

3 3

제 2항에 있어서,

상기 제 1과정에서 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 뱅크 혹은 규정된 크기의 블록들 단위로 세분하여 관리하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

4 4

제 2항에 있어서

상기 제 1과정에서 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 비트 열 또는 비트 열의 세부 조각 단위로 세분하여 관리하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

5 5

제 2항에 있어서

상기 제 1과정에서 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 비트 행 또는 비트 행의 세부 조각 단위로 세분하여 관리하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

6 6

제 5항에 있어서,

반전 여부를 기록하는 반전 결정자를 두며, 이 반전 결정자는 상기한 반전되는 단위조각에 대해 선충전 값과 다른 값으로, 반전되지 않는 단위조각에 대해서는 선충전 값과 같은 값으로 기록하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

7 7

제 2항에 있어서,

상기 제 1과정에서 뱅크 혹은 정규적인 크기들을 갖는 블록단위 반전과 열단위/행단위 반전을 복합적으로 적용하거나, 열단위 또는 행단위 반전에서 보다 큰 전력 감소를 얻기 위해 블록간에 열과 행을 교환하여 블록을 재정의하여 적용하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

8 8

제 5항에 있어서,

상기 반전된 블럭의 엑세스가 반전되지 않는 블럭의 엑세스보다 많은 경우 반전 결정자의 값이 상기한 반전되는 단위조각에 대해 선충전 값과 같은 값으로, 반전되지 않는 단위조각에 대해서는 선충전 값과 다른 값으로 기록되는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.