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배경전류억제, 불균일 보상, 불량 화소 복원 등의 기능을내장한 스마트 신호취득회로

  • 기술번호 : KST2015111963
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 배경전류억제, 불균일 보상, 불량 화소 복원 등의 기능을 내장한 스마트 신호취득 회로에 관한 것이다.일반적으로, 적외선 검출기의 잡음 특성을 개선하고자 TDI(time delay and integration) 회로가 사용된다. 그러나, TDI 회로는 잡음 특성이 개선되는 반면, 적분 커패시터의 크기가 커지고 불량 화소의 발생 확률이 증가하는 문제점을 가진다. 또한, 기존의 신호취득 회로의 경우 전체 적외선 감지 소자 어레이에 일정한 크기의 전류를 빼줌으로써 배경전류를 제거해 주는 방식을 사용하나 각 셀간의 배경전류 불균일이 큰 문제가 되었다.이에, 본 발명에서는 1) 각각의 셀에 전류복사 셀이 존재하여 적외선 감지소자의 배경 전류를 저장한 후, 보상해 줌으로써 배경전류 억제와 동시에 불균일 보상까지 수행한다. 2) 전류 복사 셀에 저장된 값은 접합 누설 전류에 의해 오류가 발생하므로 이를 해결하기 위해 추가로 ACD, DAC, 메모리 등을 내장하였다. 3) 전류복사 셀에 저장된 값은 디지털화 되어 메모리에 저장된 후, 주기적으로 재 설정해 주는 동작을 취한다. 이때 메모리에 저장된 값을 이용하며, 불량 화소가 발생한 경우 이를 제거해 줄 수 있게 된다.따라서, 본 발명에 의한 스마트 신호취득 회로는 HgCdTe 적외선 검출기를 위한 신호취득 회로 내에 불균일 보상 및 불량화소 복원의 기능을 삽입한 것으로 TDI의 문제점을 해결할 수 있으며, 적외선 검출기의 제작 수율을 향상시킬 수 있다.HgCdTe, 적외선 검출기, TDI, 신호취득 회로, 배경전류억제, 불량화소복원
Int. CL H04N 5/33 (2006.01)
CPC H04N 5/33(2013.01)H04N 5/33(2013.01)
출원번호/일자 1020020015677 (2002.03.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0411733-0000 (2003.12.05)
공개번호/일자 10-2003-0076034 (2003.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20031218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병혁 대한민국 대전광역시유성구
2 강상구 대한민국 전라남도영광군
3 이희철 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0084554-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0048562-00
4 등록결정서
Decision to grant
2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0472159-85
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

적외선 감지소자의 입력 전류를 일정하게 주입시키기 위한 제 1 NMOSFET(Minj)의 소오스와 게이트 단에는 감지소자와 증폭기(A)가 연결되고, 상기 Minj의 드레인과 각 셀의 보정 시간을 결정하기 위한 제 2 NMOSFET(Mint)의 드레인이 연결된 상태에서 상기 Mint의 게이트에는 Ecell이 연결되고, Mint의 드레인에는 자체적으로 적분되어 신호대 잡음비를 개선하기 위한 TDI 회로가 연결되어 있으며,

상기 제 1 NMOSFET(Minj)과 제 2 NMOSFET(Mint)이 접점된 드레인 사이에는 감지소자의 배경전류 값을 기억하여 배경억제 전류를 생성하기 위한 제 1 PMOSFET(Mskim)과 배경전류 값을 기억하기 위한 스위칭 역할을 하는 제 2 PMOSFET(Mmem)의 각 소오스 단자가 각각 연결된 상태에서 상기 Mskim의 게이트와 Mmem의 드레인이 연결됨과 더불어 상기 Mskim의 게이트 전압을 소정시간 동안 유지시키기 위한 Cmem이 연결되고, 상기 Mmem의 게이트에는 Emem이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 스마트 신호취득 회로

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 제 1 PMOSFET(Mskim)의 게이트와 제 2 PMOSFET(Mmem)의 드레인 단에는 제 1 PMOSFET(Mskim)의 게이트 전압을 저장시키기 위한 제 3 PMOSFET(Msel)의 소오스가 연결됨과 더불어 Msel의 게이트에 φmem이 연결되고, 상기 Msel의 드레인에는 BUSref에 의해 ADC/DAC가 연결되며, 상기 ADC/DAC는 BUSmem에 의해 메모리(latch)와 연결됨으로서 전류복사 셀에 저장된 배경전류 값을 디지털화 하여 저장한 후 주기적으로 제 1 PMOSFET(Mskim)의 게이트 전압을 재 설정하는 것을 특징으로 하는 스마트 신호취득 회로

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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메모리(latch)와 제 2 NMOSFET(Mint) 게이트 단에는 메모리(latch)에 저장된 배경전류 값을 사용하여 불량화소를 제거하기 위한 XOR 논리소자가 연결되어 있는 특징으로 하는 스마트 신호취득 회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.