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하나 이상의 평행한 제1 전극라인;
상기 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 하나 이상의 평행한 제2 전극라인;
상기 제1 전극라인 및 상기 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부;
상기 제1 전극라인에 접속되고, 상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 제1 전극라인으로 인가되는 입력신호를 발생시키는 신호 발생부;
상기 제2 전극라인에 접속된 인덕턴스 소자; 및
상기 제2 전극라인과 상기 인덕턴스 소자 간의 접속노드에 접속되고, 히스테리시스 특성을 이용하여 상기 접속노드의 신호의 크기를 두 개의 기준신호의 크기와 비교하고, 비교결과에 따라 상기 메모리부의 논리 상태를 감지하는 신호 감지부를 포함하는 수동 매트릭스 메모리 장치
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2
제1항에 있어서,
상기 제1 전극라인과 상기 신호 발생부 사이에 접속된 제1 멀티 플렉서; 및
상기 접속노드와 상기 신호 감지부의 입력단 사이에 접속된 제2 멀티 플렉서를 더 포함하는, 수동 매트릭스 메모리 장치
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3
제1항에 있어서,
상기 메모리부는 강유전체 물질 또는 일렉트렛 물질을 포함하는, 수동 매트릭스 메모리 장치
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4
제1항에 있어서,
상기 신호 감지부는,
상기 접속노드의 신호를 증폭하는 신호 증폭기; 및
상기 신호 증폭기에서 증폭된 신호를 상기 두 개의 기준신호와 비교하는 히스테리시스 비교기를 포함하는, 수동 매트릭스 메모리 장치
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5
하나 이상의 평행한 제1 전극라인;
상기 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 하나 이상의 평행한 제2 전극라인;
상기 제1 전극라인 및 상기 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부;
상기 메모리부와 상기 제1 전극라인 사이에 형성되어, 인가되는 전압이 소정의 범위 내에서는 일방향으로만 전류가 흐르는 방향성을 갖되, 상기 인가되는 전압이 소정의 문턱전압 이상인 경우에는 전류 전도도가 증가되는 특성을 갖는 스위치부;
상기 제1 전극라인에 접속되고, 상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 제1 전극라인으로 인가되는 입력신호를 발생시키는 신호 발생부;
상기 제2 전극라인에 접속된 인덕턴스 소자; 및
상기 제2 전극라인과 상기 인덕턴스 소자 간의 접속노드에 접속되고, 히스테리시스 특성을 이용하여 상기 접속노드의 신호의 크기를 두 개의 기준신호의 크기와 비교하고, 비교결과에 따라 상기 메모리부의 논리 상태를 감지하는 신호 감지부를 포함하는 수동 매트릭스 메모리 장치
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6
제5항에 있어서,
상기 제1 전극라인과 상기 신호 발생부 사이에 접속된 제1 멀티 플렉서; 및
상기 접속노드와 상기 신호 감지부의 입력단 사이에 접속된 제2 멀티 플렉서를 더 포함하는, 수동 매트릭스 메모리 장치
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7
제5항에 있어서,
상기 메모리부는 강유전체 물질 또는 일렉트렛 물질을 포함하는, 수동 매트릭스 메모리 장치
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8
제5항에 있어서,
상기 신호 감지부는,
상기 접속노드의 신호를 증폭하는 신호 증폭기; 및
상기 신호 증폭기에서 증폭된 신호를 상기 두 개의 기준신호와 비교하는 히스테리시스 비교기를 포함하는, 수동 매트릭스 메모리 장치
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9
게이트가 워드라인과 접속되고, 소오스가 비트라인과 접속된 복수의 MOS 트랜지스터;
상기 복수의MOS 트랜지스터의 드레인과 플레이트 라인 사이에 접속되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부;
상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 플레이트 라인으로 인가되는 입력신호를 발생시키는 신호 발생부 ;
상기 비트라인에 접속된 인덕턴스 소자; 및
상기 비트라인과 상기 인덕턴스 소자 간의 접속노드에 접속되고, 히스테리시스 특성을 이용하여 상기 접속노드의 신호의 크기를 두 개의 기준신호의 크기와 비교하고, 비교결과에 따라 상기 메모리부의 논리 상태를 감지하는 신호 감지부를 포함하는 능동 매트릭스 메모리 장치
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10
제9항에 있어서,
상기 플레이트 라인과 상기 신호 발생부 사이에 접속된 제1 멀티 플렉서;
상기 접속노드와 상기 신호 감지부의 입력단 사이에 접속된 제2 멀티 플렉서; 및
상기 워드라인에 접속된 제3 멀티 플렉서를 포함하는 능동 매트릭스 메모리 장치
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11
제9항에 있어서,
상기 메모리부는 강유전체 물질 또는 일렉트렛 물질을 포함하는, 능동 매트릭스 메모리 장치
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12
제9항에 있어서,
상기 신호 감지부는,
상기 접속노드의 신호를 증폭하는 신호 증폭기; 및
상기 신호 증폭기에서 증폭된 신호를 상기 두 개의 기준신호와 비교하는 히스테리시스 비교기를 포함하는, 능동 매트릭스 메모리 장치
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