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커패시터리스 디램, 그 쓰기방법 및 읽기방법

  • 기술번호 : KST2015113479
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 커패시터리스 디램에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 기생 바이폴라 트랜지스터 성분을 갖는 커패시터리스 디램과 그 쓰기방법 및 읽기방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 형성된 홀 장벽층, 홀 장벽층상에 형성된 부유 바디셀, 홀 장벽층상에 형성되되 부유 바디셀 양측에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 부유 바디셀상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층상에 형성된 게이트를 포함하며, 소오스 및 드레인은 부유 바디셀보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 커패시터리스 디램에 있어서 기존보다 낮은 드레인 전압에서도 기생 바이폴라 트랜지스터의 항복 효과를 이용하여 안정적인 쓰기 동작과 읽기 동작이 가능하며, 동시에 큰 센싱 마진을 얻을 수 있는 효과가 있다. 커패시터리스 디램(capacitor-less DRAM), 기생 바이폴라 트랜지스터, 애벌런치 항복(avalanche breakdown), 에너지 밴드갭
Int. CL H01L 27/105 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01)
출원번호/일자 1020090058992 (2009.06.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1042521-0000 (2011.06.13)
공개번호/일자 10-2011-0001449 (2011.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 최성진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0398761-18
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603685-50
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0120955-20
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0120954-85
5 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0294018-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기생 바이폴라 트랜지스터의 애벌런치 항복(avalanche breakdown) 효과를 이용하여 구동하는 커패시터리스 디램으로서, 기판상에 형성된 홀 장벽층; 상기 홀 장벽층상에 형성된 부유 바디셀; 상기 홀 장벽층상에 형성되되, 상기 부유 바디셀 양측에 각각 형성된 소오스 및 드레인; 상기 부유 바디셀상에 형성된 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층상에 형성된 게이트를 포함하며, 상기 소오스 및 상기 드레인은 상기 부유 바디셀보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램
2 2
제1항에 있어서, 상기 홀 장벽층은, 상기 부유 바디셀과 밸런스 밴드 에너지 차를 갖는 물질로 형성된, 커패시터리스 디램
3 3
제2항에 있어서, 상기 홀 장벽층은, 상기 기판 내부에 게르마늄 또는 N형 불순물이 이온 주입되어 형성된, 커패시터리스 디램
4 4
제2항에 있어서, 상기 홀 장벽층은, 상기 기판 내부에 산소 이온을 주입하여 형성된 매몰 산화층인, 커패시커리스 디램
5 5
제2항에 있어서, 상기 홀 장벽층은, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 및 실리콘 게르마늄 중 적어도 하나를 포함하여 형성된, 커패시터리스 디램
6 6
제1항에 있어서, 상기 부유 바디셀은, 실리콘을 포함하여 형성되고, 상기 소오스 및 상기 드레인은, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드, 인듐 나이트라이드, 및 징크 설파이드 중 하나를 포함하여 형성된, 커패시터리스 디램
7 7
제1항에 있어서, 상기 부유 바디셀은, 게르마늄 및 실리콘 게르마늄 중 하나를 포함하여 형성되고, 상기 소오스 및 상기 드레인은, 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드, 인듐 나이트라이드, 및 징크 설파이드 중 하나를 포함하여 형성된, 커패시터리스 디램
8 8
제1항에 있어서, 상기 부유 바디셀은, 평면형 구조, 수직한 핀 구조 또는 나노와이어 형태로 형성된, 커패시터리스 디램
9 9
제1항의 커패시터리스 디램의 쓰기 방법으로서, 상기 기생 npn 바이폴라 트랜지스터의 동작을 온 시키기 위해 상기 부유 바디셀과 상기 드레인 사이에 역방향 전압을 인가하여 상기 부유 바디셀에 홀을 1차 생성하는 단계; 및 상기 1차 생성된 홀에 의해 발생하는 상기 애벌런치 항복 효과를 이용하여 상기 부유 바디셀에 홀을 2차 생성하는 단계 를 포함하는 커패시터리스 디램의 쓰기방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 홀을 1차 생성하는 단계는, 상기 소오스에는 접지전압을 인가하고 상기 드레인에 양의 전압을 인가하고 상기 드레인에 음의 전압을 인가하여 상기 부유 바디셀과 상기 드레인 사이에 역방향 전압이 인가되도록 하는, 커패시터리스 디램의 쓰기방법
11 11
제1항의 커패시터리스 디램의 읽기 방법으로서, 상기 부유 바디셀과 상기 드레인 사이의 역방향 전압을 인가하여 상기 드레인 전류의 흐름 유무를 판별하는 단계를 포함하며, 상기 드레인을 통해 전류가 흐를 경우, 상기 기생 npn 바이폴라 트랜지스터의 동작이 온 되어 상기 부유 바디셀에 홀을 생성하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램의 읽기방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 전류 흐름 유무를 판별하는 단계에서는, 상기 소오스에는 접지전압을 인가하고, 상기 드레인에 양의 전압을 인가하고, 상기 게이트에 음의 전압을 인가하여 상기 부유 바디셀과 상기 드레인 사이에 역방향 전압이 인가되도록 하되, 상기 부유 바디셀과 상기 드레인 사이의 역방향 전압이 쓰기 동작을 위해 인가되는 상기 부유 바디셀과 상기 드레인 사이의 역방향 전압보다 작게 인가되도록 하는, 커패시터리스 디램의 읽기방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.