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고정된 자화방향을 갖는 고정층(Pinned layer)과;가변적으로 회전되는 자화방향을 갖는 자유층(Free layer)과;비자성물질로 상기 자유층과 고정층 사이에 게재되는 비자성층(Spacer)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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제 1 항에 있어서,상기 자유층은,일축 이방성(uniaxial anisotropy)물질로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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제 2 항에 있어서,상기 일축이방성 물질은,상기 고정층의 고정된 자화 방향과 반대방향(Negative)의 자화 방향을 갖도록 형성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 일축 이방성 물질은,Nd-Fe-B계 물질로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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5
제 3 항에 있어서,상기 일축 이방성 물질은,Nd-Fe-B-Mo-Cu계 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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6
제 3 항에 있어서,상기 일축 이방성 물질은,NdFeTi-Nitride 계 물질로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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7
삭제
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8
삭제
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9
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고정층은,강자성 물질로 형성되는 층으로;NiFe, CoFe, CoFeB, Fe 합금, Co 합금 또는 Ni 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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10
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비자성층(Spacer)의 비자성물질은,금속산화막(Aluminum oxide, AlOx), 산화마그네슘(MgO), 그래핀 또는 비자성 금속 물질(Cu, Ru 또는 Ta) 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 형성됨을 특징으로 하는 MTJ 접합층을 이용한 스핀토크오실레이터
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