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수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2014012342
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치는 하나 이상의 평행한 제1 전극라인, 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 평행한 제2 전극라인, 제1 및 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 메모리부와 제1 전극라인 사이에 형성되어, 제1 전극라인과 전기적으로 연결된 켄틸레버 형태의 제1 전극 및 메모리부와 전기적으로 연결되고 제1 전극과 대향 이격되도록 형성된 제2 전극을 포함하고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압이 소정의 전압 이상인 경우에는 제1 전극이 제2 전극과 전기적으로 연결되는 스위치부를 포함한다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 메모리부에 인가되는 간섭전압의 크기를 감소시킴으로써 간섭전압에 노출되는 횟수가 증가되더라도 각 메모리 셀에 저장된 데이터 상태를 유지 시킬 수 있다. 강유전체, 일렉트렛, 전기적 간섭, 수동 매트릭스, 스위치
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G11C 11/22 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020080063307 (2008.07.01)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0913424-0000 (2009.08.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김우영 대한민국 대구광역시 수성구
3 황치호 대한민국 대전광역시 유성구
4 이용수 대한민국 대전광역시 서구
5 김상율 대한민국 대전광역시 유성구
6 가두연 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0474295-69
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0082044-71
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0482068-44
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0781946-07
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0025184-89
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0338840-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 평행한 제1 전극라인; 상기 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 평행한 제2 전극라인; 상기 제1 전극라인과 상기 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부; 및 상기 메모리부와 상기 제1 전극라인 사이에 형성되어, 상기 제1 전극라인과 전기적으로 연결된 켄틸레버 형태의 제1 전극 및 상기 메모리부와 전기적으로 연결되고 상기 제1 전극과 대향 이격되도록 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압이 소정의 전압 이상인 경우에는 상기 제1 전극이 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 스위치부를 포함하는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 스위치부는 상기 제1 전극이 상기 메모리부로부터 이격 지지되도록 형성된 지지부를 더 포함하는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 메모리부는 강유전체 물질 또는 일렉트렛 물질을 포함하는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 금속, 전도성 고분자, 탄소나노튜브 및 풀러렌(fullerene, C60) 중 어느 하나 이상을 포함하여 형성된, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 직선 형태 또는 적어도 한번 이상 꺾인 형태로 형성된, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압이 상기 소정의 전압 이상인 경우, 정전기적 인력에 의해 상기 제1 전극이 위치 이동하여 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
7 7
하나 이상의 평행한 제1 전극라인; 상기 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 평행한 제2 전극라인; 상기 제1 전극라인과 상기 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부; 및 상기 메모리부와 상기 제1 전극라인 사이에 형성되어, 일측은 상기 제1 전극라인과 전기적으로 연결되고 타측은 상기 제1 전극라인과 대향되도록 형성된 켄틸레버 형태의 제1 전극 및 상기 메모리부와 전기적으로 연결되고 상기 제1 전극의 타측과 대향 이격되도록 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극에 인가되는 전압이 소정의 전압 이상인 경우에는 상기 제1 전극이 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 스위치부를 포함하는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 스위치부는 상기 제1 전극이 상기 메모리부로부터 이격 지지되도록 형성된 지지부를 더 포함하는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
9 9
제7항에 있어서, 상기 메모리부는 강유전체 물질 또는 일렉트렛 물질을 포함하는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
10 10
제7항에 있어서, 상기 제1 전극은 금속, 전도성 고분자, 탄소나노튜브 및 풀러렌(fullerene, C60) 중 어느 하나 이상을 포함하여 형성된, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
11 11
제7항에 있어서, 상기 제1 전극은 직선 형태 또는 적어도 한번 이상 꺾인 형태로 형성된, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
12 12
제7항에 있어서, 상기 제1 전극에 인가되는 전압이 상기 소정의 전압 이상인 경우, 상기 제1 전극은 상기 제1 전극과 상기 제1 전극라인 간의 정전기적 척력 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극간의 정전기적 인력에 의해 위치 이동하여 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는, 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07983066 US 미국 FAMILY
2 US20100002489 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010002489 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7983066 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.