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1
(a) 나노 크기의 기공을 형성하고 있는 다공성 물질판에 전극으로 이용할 금속을 부착시키는 단계;
(b) 극성 용매, 단량체, 및 도펀트를 포함하는 혼합액을 교반하여 중합용액을 형성하고 이를 상기 다공성 물질판의 나노 기공에 투입하여 유기 발광 나노튜브를 형성하는 단계;
(c) 상기 유기 발광 나노튜브의 내측 또는 외측에 상기 유기 발광 나노 물질의 밴드갭과 표면 플라즈몬 밴드갭이 일치하는 무기 나노 물질로서 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 코발트(Co)를 전기화학적으로 증착함으로써 표면 플라즈몬에 의해 광발광이 증가된 유무기 나노튜브를 형성하는 단계; 및
(d) 상기 다공성 물질판을 제거하는 단계;를 포함하는 이중벽 나노튜브의 발광특성 조절방법
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제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 금, 은, 백금, 스테인레스, ITO 또는 이들의 복합체로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 사용하여 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 이중벽 나노튜브의 발광특성 조절방법
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3
제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 단량체는 티오펜, 3-메틸티오펜, 3-알킬티오펜, 3,4-에틸렌디옥시티오펜, 1,4-페닐렌비닐렌 및 이의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이중벽 나노튜브의 발광특성 조절방법
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제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 도펀트는 하기 화학식으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이중벽 나노튜브의 발광특성 조절방법:
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제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 무기 나노 물질을 증착하기 위하여 유기 발광 나노 물질에 cyclic voltammetry (CV)을 이용하여 0 V 내지 -1
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7
제 1항에 있어서, 상기 (d) 단계는 다공성 물질을 HF 또는 NaOH 수용액에 침지시킴으로써 이중벽 나노튜브를 얻는 것을 특징으로 하는 이중벽 나노튜브의 발광특성 조절방법
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8
(a) 나노 크기의 기공을 형성하고 있는 다공성 물질판에 전극으로 이용할 금속을 부착시키는 단계;
(b) 극성 용매, 단량체, 및 도펀트를 포함하는 혼합액을 교반하여 중합용액을 형성하고 이를 상기 다공성 물질판의 나노 기공에 투입하여 유기 발광 나노와이어를 형성하는 단계;
(c) 상기 유기 발광 나노와이어의 외측에 상기 유기 발광 나노 물질의 밴드갭과 표면 플라즈몬 밴드갭이 일치하는 무기 나노 물질로서 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 코발트(Co)를 전기화학적으로 증착함으로써 표면 플라즈몬에 의해 광발광이 증가된 유무기 나노와이어를 형성하는 단계; 및
(d) 상기 다공성 물질판을 제거하는 단계;를 포함하는 이중벽 나노와이어의 발광특성 조절방법
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제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 금, 은, 백금, 스테인레스, ITO 또는 이들의 복합체로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 사용하여 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 이중벽 나노와이어의 발광특성 조절방법
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10
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 단량체는 티오펜, 3-메틸티오펜, 3-알킬티오펜, 3,4-에틸렌디옥시티오펜, 1,4-페닐렌비닐렌 및 이의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이중벽 나노와이어의 발광특성 조절방법
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11
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 도펀트는 하기 화학식으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이중벽 나노와이어의 발광특성 조절방법:
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삭제
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제 8항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 무기 나노 물질을 증착하기 위하여 유기 발광 나노 물질에 cyclic voltammetry (CV)을 이용하여 0 V 내지 -1
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14
제 8항에 있어서, 상기 (d) 단계는 다공성 물질을 HF 또는 NaOH 수용액에 침지시킴으로써 이중벽 나노와이어를 얻는 것을 특징으로 하는 이중벽 나노와이어의 발광특성 조절방법
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