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기판 상에, 그래핀을 포함하는 전극막 및 육방정계 붕소질화물(h-BN)을 포함하는 절연막을 교대로 반복적으로 적층하고;불소를 포함하는 식각 가스를 사용하는 제1 건식 식각 공정을 수행하여 상기 절연막들 중에서 최상층에 형성된 제1 절연막을 식각함으로써, 상기 전극막들 중에서 최상층에 형성된 제1 전극막의 상면을 노출시키는 개구를 형성하고;산소 플라스마 및/또는 수소 플라스마를 사용하는 반응성 이온 식각(RIE) 공정을 수행하여 상기 노출된 제1 전극막 부분을 제거함으로써, 상기 절연막들 중에서 상기 제1 전극막 하부에 형성된 제2 절연막의 상면을 노출시키도록 상기 개구를 확장하고;불소를 포함하는 식각 가스를 사용하는 제2 건식 식각 공정을 수행하여 상기 노출된 제2 절연막을 식각함으로써, 상기 전극막들 중에서 상기 제2 절연막 하부에 형성된 제2 전극막의 상면을 노출시키도록 상기 개구를 확장하고; 그리고상기 확장된 개구 내에 콘택 플러그를 형성하는 것을 포함하는 배선 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 불소를 포함하는 식각 가스는 이불화 제논(XeF2), 사불화 탄소(CF4) 혹은 육불화 황(SF6)을 포함하는 배선 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 건식 식각 공정을 수행함에 따라서, 상기 식각 가스에 포함된 불소 성분이 상기 제1 전극막과 결합하여 불화 그래핀을 형성하는 배선 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극막은 상기 제1 건식 식각 공정에서 식각 저지막 역할을 수행하는 배선 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 건식 식각 공정을 수행할 때, 상기 제2 절연막은 제거되지 않는 배선 구조물 형성 방법
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기판 상에 제1 채널을 형성하고;상기 제1 채널의 양 측부들을 각각 커버하며 그래핀을 포함하는 제1 소스/드레인 전극들을 상기 기판 상에 형성하고;상기 제1 채널 및 상기 제1 소스/드레인 전극들을 커버하는 제1 절연막을 상기 기판 상에 형성하고;상기 제1 절연막 상에 그래핀을 포함하는 게이트 전극을 형성하고;상기 게이트 전극을 커버하는 제2 절연막을 상기 제1 절연막 상에 형성하고;상기 제2 절연막 상에 제2 채널을 형성하고;상기 제2 채널의 양 측부들을 각각 커버하며 그래핀을 포함하는 제2 소스/드레인 전극들을 상기 제2 절연막 상에 형성하고;상기 제2 채널 및 상기 제2 소스/드레인 전극들을 커버하는 제3 절연막을 상기 제2 절연막 상에 형성하고;상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 채널의 제1 측에 형성된 상기 제2 소스/드레인 전극의 상면에 접촉하는 제1 콘택 플러그를 형성하고;상기 제1 내지 제3 절연막들을 관통하여 상기 제1 채널의 제1 측에 형성된 상기 제1 소스/드레인 전극의 상면에 접촉하는 제2 콘택 플러그를 형성하고;상기 제1 내지 제3 절연막들, 및 상기 제2 채널의 제2 측에 형성된 상기 제2 소스/드레인 전극을 관통하여 상기 제1 채널의 제2 측에 형성된 상기 제1 소스/드레인 전극의 상면에 접촉하는 제3 콘택 플러그를 형성하고; 그리고상기 제2 및 제3 절연막들을 관통하여 상기 게이트 전극의 상면에 접촉하는 제4 콘택 플러그를 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제2 콘택 플러그를 형성하는 것은,불소를 포함하는 식각 가스를 사용하는 건식 식각 공정을 수행하여 상기 제1 내지 제3 절연막들을 식각함으로써, 상기 제1 채널의 상기 제1 측에 형성된 상기 제1 소스/드레인 전극의 상면을 노출시키는 개구를 형성하고; 그리고상기 개구를 채우는 상기 제2 콘택 플러그를 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제3 콘택 플러그를 형성하는 것은,불소를 포함하는 식각 가스를 사용하는 제1 건식 식각 공정을 수행하여 상기 제3 절연막을 식각함으로써, 상기 제2 채널의 상기 제2 측에 형성된 상기 제2 소스/드레인 전극의 상면을 노출시키는 개구를 형성하고; 산소 플라스마 및/또는 수소 플라스마를 사용하는 반응성 이온 식각(RIE) 공정을 수행하여 상기 노출된 제2 소스/드레인 전극 부분을 제거함으로써, 상기 제2 절연막의 상면을 노출시키도록 상기 개구를 확장하고;불소를 포함하는 식각 가스를 사용하는 제2 건식 식각 공정을 수행하여 상기 제1 및 제2 절연막들을 식각함으로써, 상기 제1 채널의 상기 제2 측에 형성된 상기 제1 소스/드레인 전극의 상면을 노출시키도록 상기 개구를 확장하고; 그리고상기 확장된 개구를 채우는 상기 제3 콘택 플러그를 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 건식 식각 공정들을 수행함에 따라서, 상기 식각 가스에 포함된 불소 성분이 상기 제2 소스/드레인 전극 및 상기 제1 소스/드레인 전극과 각각 결합하여 불화 그래핀을 형성하는 반도체 장치 제조 방법
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기판 상에 형성된 제1 절연막;상기 제1 절연막 상에 형성된 제1 채널;상기 제1 채널의 양 측부들 및 이에 인접한 상기 제1 절연막 부분들의 상면에 각각 접촉하며 그래핀을 포함하는 제1 소스/드레인 전극들;상기 제1 채널 및 상기 제1 소스/드레인 전극들을 커버하며 상기 제1 절연막 상에 형성된 제2 절연막;상기 제2 절연막 상에 형성되며 그래핀을 포함하는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 커버하며 상기 제2 절연막 상에 형성된 제3 절연막;상기 제3 절연막 상에 형성된 제2 채널;상기 제2 채널의 양 측부들 및 이에 인접한 상기 제3 절연막 부분들의 상면에 각각 접촉하며 그래핀을 포함하는 제2 소스/드레인 전극들;상기 제2 채널 및 상기 제2 소스/드레인 전극들을 커버하며 상기 제3 절연막 상에 형성된 제4 절연막;상기 제4 절연막을 관통하여, 상기 제2 채널의 제1 측에 형성된 상기 제2 소스/드레인 전극의 상면에 접촉하는 제1 콘택 플러그;상기 제2 내지 제4 절연막들을 관통하여, 상기 제1 채널의 제1 측에 형성된 상기 제1 소스/드레인 전극의 상면에 접촉하는 제2 콘택 플러그;상기 제2 내지 제4 절연막들, 및 상기 제2 채널의 제2 측에 형성된 상기 제2 소스/드레인 전극을 관통하여, 상기 제1 채널의 제2 측에 형성된 상기 제1 소스/드레인 전극의 상면에 접촉하는 제3 콘택 플러그; 및 상기 제3 및 제4 절연막들을 관통하여, 상기 게이트 전극의 상면에 접촉하는 제4 콘택 플러그를 포함하는 반도체 장치
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