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지지체; 및 상기 지지체에 고정된 N-메틸트립토판 산화효소(N-methyl-L-tryptophan oxidase; MTOX);를 포함하는 아브린 탐지 센서
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제1항에 있어서, 상기 아브린 탐지센서에 발색표지제 및 발색기질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 센서
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제1항에 있어서, 상기 지지체는 자성입자, 폴리머 입자(beads), 폴리머 막(film), 유리 및 마이크로타이터 플레이트 중에서 선택되는 어느 하나인 아브린 탐지 센서
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제3항에 있어서, 상기 자성입자는 Pt, Pd, Ag, Cu 및 Au 중에서 선택되는 금속; Co, Mn, Fe, Ni, Gd, Mo, MM'2O4, 및 MxOy (M 및 M'는 각각 독립적으로 Co, Fe, Ni, Mn, Zn, Gd, 또는 Cr을 나타내고, 0 003c# x ≤ 3, 0 003c# y ≤ 5) 중에서 선택되는 자성 물질; 또는 CoCu, CoPt, FePt, CoSm, NiFe 및 NiFeCo 중에서 선택되는 자성 합금인 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 센서
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제2항에 있어서, 상기 발색표지제는 겨자무과산화효소(horseradish peroxidase; HRP), 염기성 탈인산화효소(alkaline phosphatase), 콜로이드 골드(colloid gold), 바이오틴(biotin), 플루오레세인이소티오시안산염(fluorescein isothiocyanate; FITC), 로다민-B이소티오시안산염(rhodamine-Bisothiocyanate; RITC) 및 로다민 B(rhodamine B) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 센서
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제2항에 있어서, 상기 발색기질은 테트라메틸벤지딘(3,3',5,5'-tetra-methylbenzidine; TMB), 다이아미노벤지딘(diaminobenzidine; DAB), 2,2'-아지노-비스(3-에틸벤조사이아졸린-6-술폰산(2
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(A) 탐지대상 시료에, 지지체에 고정된 N-메틸트립토판 산화효소(N-methyl-L-tryptophan oxidase; MTOX)를 반응시키는 단계; 및(B) 상기 (A)단계의 시료에 발색표지제 및 발색기질을 첨가하여 발색기질의 발색여부를 확인하는 단계;를 포함하는 아브린 탐지 방법
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제7항에 있어서, 상기 탐지대상 시료는 과산화수소(H2O2)가 제거된 동물 소변인 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 방법
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제7항에 있어서, 상기 지지체는 자성입자, 폴리머 입자(beads), 폴리머 막(film), 유리, 마이크로타이터 플레이트 중에서 선택되는 어느 하나인 아브린 탐지 방법
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제9항에 있어서, 상기 자성입자는 Pt, Pd, Ag, Cu 및 Au 중에서 선택되는 금속; Co, Mn, Fe, Ni, Gd, Mo, MM'2O4, 및 MxOy (M 및 M'는 각각 독립적으로 Co, Fe, Ni, Mn, Zn, Gd, 또는 Cr을 나타내고, 0 003c# x ≤ 3, 0 003c# y ≤ 5) 중에서 선택되는 자성 물질; 또는 CoCu, CoPt, FePt, CoSm, NiFe 및 NiFeCo 중에서 선택되는 자성 합금인 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 방법
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제7항에 있어서, 상기 발색표지제는 겨자무과산화효소(horseradish peroxidase; HRP), 염기성 탈인산화효소(alkaline phosphatase), 콜로이드 골드(colloid gold), 바이오틴(biotin), 플루오레세인이소티오시안산염(fluorescein isothiocyanate; FITC), 로다민-B이소티오시안산염(rhodamine-Bisothiocyanate; RITC) 및 로다민 B(rhodamine B) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 방법
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제7항에 있어서, 상기 발색기질은 테트라메틸벤지딘(3,3',5,5'-tetra-methylbenzidine; TMB), 다이아미노벤지딘(diaminobenzidine; DAB), 2,2'-아지노-비스(3-에틸벤조사이아졸린-6-술폰산(2
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(a) 기능기를 가지는 지지체를 준비하는 단계; (b) N-메틸트립토판 산화효소(N-methyl-L-tryptophan oxidase; MTOX)에 (X)CXPXR(X)를 태그(tag)하는 단계;(c) 상기 태그된 N-메틸트립토판 산화효소에 포밀글리신 합성 효소(formylglycine generating enzyme; FGE)에 의해 알데하이드기를 형성하는 단계; 및(d) 상기 태그된 N-메틸트립토판 산화효소에 (a) 단계의 지지체를 첨가하여 고정시키는 단계;를 포함하는 아브린 탐지 센서 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 지지체는 자성입자, 폴리머 입자(beads), 폴리머 막(film), 유리, 마이크로타이터 플레이트 중에서 선택되는 어느 하나인 아브린 탐지 센서 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 지지체는 자성입자이며, 상기 자성입자는 Pt, Pd, Ag, Cu 및 Au 중에서 선택되는 금속; Co, Mn, Fe, Ni, Gd, Mo, MM'2O4, 및 MxOy (M 및 M'는 각각 독립적으로 Co, Fe, Ni, Mn, Zn, Gd, 또는 Cr을 나타내고, 0 003c# x ≤ 3, 0 003c# y ≤ 5) 중에서 선택되는 자성 물질; 또는 CoCu, CoPt, FePt, CoSm, NiFe 및 NiFeCo 중에서 선택되는 자성 합금인 아브린 탐지 센서 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 기능기는 아미노기, 티올기, 카복실산기, 페놀기, 알킨기 또는 아자이드기 중에서 선택되는 어느 하나 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 아브린 탐지 센서 제조방법
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