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기판, 상기 기판 위에 적층된 제1 유전체층, 상기 제1 유전체층 위에 적층된 금속 박막, 상기 금속 박막 위에 적층되며 상기 금속박막의 일부면이 노출되도록 채널이 관통형성된 제2 유전체층, 상기 제2 유전체층 위에 적층되며 상기 채널을 향해 일부면이 노출된 금속-띠, 및 상기 금속-띠 위에 적층된 제3 유전체층을 포함하는 센서부;상기 금속 박막과 금속-띠 간 표면 플라즈몬 공명을 유도하기 위한 광원부; 및상기 표면 플라즈몬 공명에 따라 변화된 광을 검출 및 분석하는 검출부;를 구비한 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 기판, 반도체 기판 또는 금속 기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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3
제1항에 있어서,상기 제1 유전체층, 제2 유전체층 및 제3 유전체층은 각각, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 페놀계 수지, 폴리퀴놀린계 수지, 폴리퀴녹살린계 수지, 폴리벤조옥사졸계 수지, 폴리벤조티아졸계 수지, 폴리벤조이미다졸계 수지, 폴리실란, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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삭제
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5
제1항에 있어서,상기 제2 유전체층은 두께가 10 nm 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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6
삭제
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7
제1항에 있어서, 상기 제1 유전체층, 제2 유전체층 및 제3 유전체층은 각각, 서로 다른 유전율을 가진 복수의 재질이 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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8 |
8
제1항에 있어서,상기 제2 유전체층은 평면상 분할된 영역에 각각 서로 다른 유전율을 가진 복수의 재질이 분산배치되어 형성된 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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9
제1항에 있어서,상기 금속 박막과 금속-띠는 각각, Au, Ag, Cu, Al, In, Sn, Pb, Sb, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ta, W, Pt 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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10 |
10
제1항에 있어서,상기 금속 박막 및 금속-띠는 각각, 두께가 10 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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11
제1항에 있어서,상기 금속-띠는, 폭이 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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12
제1항에 있어서,상기 금속-띠는 직선 형태, 직선 형태로 시작되어 Y자형으로 분기되는 형태, 또는 양방향에서 직선 형태로 시작되어 마주보며 진행하다가 각각 Y자형으로 분기되고 각각 분기된 분기선이 연결되는 형태 중 선택된 어느 한 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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13 |
13
제1항에 있어서, 상기 금속띠는,상기 노출된 일부면에 코팅된 감지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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14
제1항에 있어서,상기 채널은 복수 개가 동일 평면 상에 배치되도록 형성된 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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15
제1항에 있어서,상기 채널은 높이가 10 nm 내지 10 ㎛이고, 폭이 1 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서
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