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자기 조립막과, 무기 나노라미네이트막을 교호로 2회 이상 적층한 구조를 포함하는 수분 투과 방지막
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제1항에 있어서, 상기 자기 조립막은, OTS (octyltrichlorosilane), ODTS (octadecyltrichlorosilane), OPA (octylphosphonate), ODPA (octadecylphosphonate), OTES (octyltriethoxysilane), ODTES (octadecyltriethoxysilane)를 소스 가스로 해서 형성되는 수분 투과 방지막
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제2항에 있어서, 상기 자기 조립막의 두께는 1nm이상 300nm 이하인 수분 투과 방지막
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제1항에 있어서, 상기 무기 나노라미네이트막은, 2종류 이상의 무기막이 적층된 구조인 수분 투과 방지막
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제4항에 있어서, 상기 무기막 각각은, 알루미늄(Al) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 티타늄(Ti) 산화물, 탄탈(Ta) 산화물, 실리콘(Si) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 세륨(Ce) 산화물 및 실리콘 질화물로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 수분 투과 방지막
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제5항에 있어서, 상기 무기막 각각의 두께는 1nm 이상 300nm 이하인 수분 투과 방지막
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자기 조립막을 형성하는 단계; 및 무기 나노라미네이트막을 형성하는 단계 를 포함하며, 상기 자기 조립막 형성 단계 및 상기 무기 나노라미네이트막 형성 단계를 반복해서 2층 이상의 상기 자기 조립막 및 상기 무기 나노라미네이트막을 형성하는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 자기 조립막은 분자층 증착(molecular layer deposition) 방식으로 성막되는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 자기 조립막은 OTS (octyltrichlorosilane), ODTS (octadecyltrichlorosilane), OPA (octylphosphonate), ODPA (octadecylphosphonate), OTES (octyltriethoxysilane), ODTES (octadecyltriethoxysilane)를 소스 가스로 이용해 형성되는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 자기 조립막의 두께는 1nm 이상 300nm이하인 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 무기 나노라미네이트막은, 2종 이상의 무기막을 교대로 적층하는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 무기막은, 원자층 증착법(atomic layer deposition) 방식으로 성막되는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 무기막 각각은, 알루미늄(Al) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 티타늄(Ti) 산화물, 탄탈(Ta) 산화물, 실리콘(Si) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 세륨(Ce) 산화물 및 실리콘 질화물로 이루어진 군에서 선택되는 되는 것인, 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 무기막 각각의 두께는 1nm 이상 300nm이하인 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항의 수분 투과 방지막을 포함하는 전기, 전자 봉지 재료
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제1항의 수분투과방지막을 포함하는 전자기기
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제1항의 수분투과방지막을 포함하는 전기, 전자소자
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제1항의 수분투과방지막을 포함하는 유기전계발광소자
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