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p형 반도체층을 갖는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치에 있어서,
빛을 방출하는 레이저 광원;
상기 빛을 상기 p형 반도체층에 입사시키며, 상기 입사된 빛에 따라 상기 p형 반도체층으로부터 방출되는 빛을 유도하는 광섬유;
상기 유도된 빛의 세기를 검출하는 광검출기; 및
상기 광검출기로 검출한 빛의 세기에 따라 상기 p형 반도체층에 대한 열처리를 중단하도록 제어하는 제어기를 포함하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치
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제1항에 있어서,
상기 광섬유의 일단은 상기 빛을 반사하는 광섬유 팁으로 구성되며, 상기 광섬유의 타단은 상기 레이저 광원 및 상기 광검출기에 각각 연결되도록 이중 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치
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제1항에 있어서,
상기 레이저 광원은
He-Cd 레이저이고, 상기 p형 반도체층의 밴드갭 이상의 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치
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제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 광검출기에 입사되는 빛의 세기가 최대가 될 때 상기 p형 반도체층에 대한 열처리를 중단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치
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제1항에 있어서,
상기 p형 반도체층은 사파이어 기판 상에 성장한 Mg을 도핑한 p형 질화물계 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치
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제1항에 있어서,
상기 광검출기는 입사되는 빛을 파장대별로 구분하여, 파장대별 입사되는 빛의 세기를 검출하는 스펙트로미터(spectrometer) 또는,
일정 파장대만을 투과시킬 수 있는 박막필터와 포토다이오드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 장치
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p형 반도체층을 갖는 반도체 발광소자의 열처리 제어 방법에 있어서,
빛을 방출하는 과정과,
상기 빛을 상기 p형 반도체층에 입사시키는 과정과,
상기 입사된 빛에 따라 상기 p형 반도체층으로부터 방출되는 빛을 검출하는 과정과,
상기 검출한 빛의 세기에 따라 상기 p형 반도체층에 대한 열처리를 중단하도록 제어하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 방법
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제7항에 있어서,
상기 방출하는 과정은
상기 p형 반도체층의 밴드갭 이상의 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 방법
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제7항에 있어서,
상기 p형 반도체층은 사파이어 기판 상에 성장한 Mg을 도핑한 p형 질화물계 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 방법
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10
제7항에 있어서,
상기 제어하는 과정은,
상기 검출된 빛의 세기가 최대가 될 때 상기 p형 반도체층에 대한 열처리를 중단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 방법
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제7항에 있어서,
상기 제어하는 과정은,
상기 검출한 빛의 파장범위가 380 내지 410nm 범위에 들어오고 기 설정된 세기 이상이면 열처리를 중단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 열처리 제어 방법
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