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기판 상에 접착층을 형성하는 접착층 형성단계;접착층 상에 마이크로 디바이스를 배치시키는 배치단계;노출된 접착층을 제거하는 제거단계;마이크로 디바이스 및 접착층 간의 접착력을 감소시키는 접착력 감소단계; 및픽업장치로 마이크로 디바이스를 픽업하여 전사대상기판에 전사시키는 전사단계;를 포함하는 마이크로 디바이스 전사방법
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청구항 1에 있어서,접착력 감소단계는, 접착층에 에너지를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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청구항 2에 있어서,에너지는, 유도가열방법, 열선가열방법, 적외선가열방법 및 자외선가열방법 중 적어도 어느 하나에 의해 인가되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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청구항 2에 있어서,에너지는, 마이크로 디바이스의 메탈전극에 인가되고, 접착층에는 인가되지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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청구항 2에 있어서,에너지는, 기판 및 접착층 간의 접착력보다 마이크로 디바이스 및 접착층 간의 접착력이 더 작도록 인가되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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청구항 1에 있어서, 제거단계에서,마이크로 디바이스 및 기판 사이의 접착층의 일부가 제거되는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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7
메탈본딩부가 형성된 전사대상기판 상에 접착층을 형성하는 접착층 형성단계;접착층 상에 마이크로 디바이스를 배치시키는 배치단계; 및접착층을 제거하는 제거단계;를 포함하는 마이크로 디바이스 전사방법
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8
청구항 7에 있어서, 접착층 형성단계 후에, 접착층을 열처리하는 열처리단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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9
청구항 7에 있어서, 배치단계 후에, 마이크로 디바이스를 수리하는 수리단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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10
청구항 7에 있어서, 접착층은 메탈본딩부의 녹는점보다 낮은 기화점을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스 전사방법
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11
기판 상에 제1접착층을 형성하는 제1접착층 형성단계;접착층 상에 마이크로 디바이스를 배치시키는 제1배치단계;노출된 제1접착층을 제거하는 제거단계;마이크로 디바이스 및 제1접착층 간의 접착력을 감소시키는 접착력 감소단계;픽업장치로 마이크로 디바이스를 픽업하는 픽업단계;메탈본딩부가 형성된 전사대상기판 상에 제2접착층을 형성하는 제2접착층 형성단계;제2접착층 상에 픽업장치로부터 마이크로 디바이스를 배치시키는 배치단계; 및제2접착층을 제거하는 제거단계;를 포함하는 마이크로 디바이스 전사방법
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기판 상에 접착층을 형성하는 접착층 형성단계;접착층 상에 마이크로 디바이스를 배치시키는 배치단계;노출된 접착층을 제거하는 제거단계;기판 및 접착층 간의 접착력을 감소시키는 접착력 감소단계;픽업장치로 마이크로 디바이스를 픽업하는 단계; 마이크로 디바이스로부터 접착층을 제거하는 단계; 및픽업장치로부터 마이크로 디바이스를 전사대상기판에 전사시키는 전사단계;를 포함하는 마이크로 디바이스 전사방법
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