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(a)석영기판 위에 차례로 적층된 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr)의 삼중층을 일정한 간격으로 패턴화하는 단계;(b)상기 알루미늄(Al)의 측벽을 에칭하는 단계;(c)상기 에칭 후 상기 삼중층 표면에 원자층 증착(atomic layer deposition)방법으로 비정질 산화알루미늄 (Al2O3) 박막을 증착시키는 단계;(d)상기 증착 후 패턴화된 삼중층 사이 간격인 트렌치 내부 및 삼중층의 최상부에 수직으로 크롬을 증착시키는 단계 및(e)상기 삼중층의 알루미늄(Al)층을 에칭하여 제거(lift-off)하는 단계로 구성될 수 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계에서 패턴화는 석영기판 위의 상기 삼중층보다 높은 폴리머를 포토리소그래피(photolithography)또는 전자빔리소그래피(electron beam lithography)를 이용하여 상기 삼중층모양의 음각형태로 식각한 다음, 상기 식각된 부분에 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr)의 삼중층을 전자빔증착기(electron beam evaporator)로 순서대로 증착시킨 후 상기 폴리머를 제거하는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제2항에 있어서,상기 패턴화된 음각형태는 좁고 긴 슬릿(slit) 형태인 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계에서 패턴화된 삼중층의 수직단면은 측면이 직선이고 상부로 갈수록 폭이 같거나 좁아지는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 석영층의 두께는 400~600㎛, 상기 삼중층의 두께는 아래부터 40~60nm, 90~110nm 및 10~30nm인 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 및 (e)단계의 에칭은 수산화나트륨 (NaOH) 용액으로 습식에칭을 할 수 있는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 알루미늄(Al)의 측벽이 에칭에 의해 식각된 결과 상기 알루미늄(Al) 층의 상부에 있는 크롬(Cr)층이 돌출된(overhang) 구조로 되는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계의 산화알루미늄 (Al2O3) 박막의 두께는 1~10nm인 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제8항에 있어서,상기 산화알루미늄 (Al2O3) 박막의 두께는 증착된 산화알루미늄 (Al2O3) 및 자연 산화된 층을 포함할 수 있는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제9항에 있어서,상기 산화알루미늄 (Al2O3) 박막의 두께가 크롬 나노갭의 갭폭을 결정할 수 있는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (d)단계의 크롬(Cr) 증착의 속도는 0
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제1항에 있어서,상기 알루미늄(Al)층을 에칭하여 제거(lift-off)함은 상기 알루미늄(Al)층뿐만 아니라 상기 삼중층의 최상부 크롬(Cr)층도 제거될 수 있는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (e)단계는 알루미늄(Al)층을 에칭한 후 탈이온수(deionized water)를 이용하여 세정하고 질소가스로 건조시킬 수 있는 것에 특징이 있는 크롬 나노갭 제조방법
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제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항으로 제조된 크롬 나노갭
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제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항으로 제조된 크롬 나노갭을 이용한 크롬 포토 마스크
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