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금속 촉매 화학 식각을 이용한 마이크로 및 나노 구조물 형성방법

  • 기술번호 : KST2020008189
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 구조물을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 촉매 화학 식각 방법을 이용하여 실리콘 구조물을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 구조물 형성방법의 일 실시예는 금속 촉매 화학 식각(metal-assisted chemical etching)에 의해 실리콘 기판을 식각하는 방법으로, 상기 실리콘 기판 상에 구리(Cu)/니켈(Ni) 이중층(bilayer), 금(Au)/니켈(Ni) 이중층 또는 금-니켈 합금층(Au-Ni alloy layer)을 포함하는 금속 촉매층을 형성하는 단계; 및 상기 금속 촉매층이 형성된 실리콘 기판에 식각 용액을 반응시켜, 실리콘 구조물을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/32134(2013.01)
출원번호/일자 1020180165955 (2018.12.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0077646 (2020.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최인석 서울특별시 종로구
2 주영창 서울시 강남구
3 한흥남 서울특별시 강남구
4 미니샤 메타 서울특별시 관악구
5 안인경 서울특별시 관악구
6 강성규 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) K & Y 빌딩 *층(지아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1283258-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
금속 촉매 화학 식각(metal-assisted chemical etching)에 의해 실리콘 기판을 식각하는 방법으로,상기 실리콘 기판 상에 구리(Cu)/니켈(Ni) 이중층(bilayer), 금(Au)/니켈(Ni) 이중층 또는 금-니켈 합금층(Au-Ni alloy layer)을 포함하는 금속 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 금속 촉매층이 형성된 실리콘 기판에 식각 용액을 반응시켜, 실리콘 구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 촉매 화학 식각을 이용한 마이크로 및 나노 구조물 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국연구재단 집단연구지원(R＆D) 전략 구조소재 신공정 설계 연구센터