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ＣｕＯ 박막형성방법, 산화물 박막 트랜지스터 제조방법, 박막 트랜지스터 제조방법으로 제조된 산화물 박막 트랜지스터 및 ＣｕＯ 박막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014060789
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일실시예는 CuO 박막형성방법으로서 아르곤(Ar)가스와 산소(O2)가스 분위기에서 스퍼터링을 통해 Cu2O박막을 형성하는 단계 그리고 열처리공정을 통해 Cu2O 박막을 CuO박막으로 변환하는 단계를 포함한다. 또한 본 발명의 다른 실시예는 산화물 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 발명으로서, 게이트가 형성된 기판에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상부에 Cu2O를 증착하는 단계, 상기 Cu2O가 증착된 기판을 100℃ ~ 500℃로 가열하여 CuO 활성층인 반도체층을 형성하는 단계 그리고 상기 반도체층 상부에 서로 이격하여 소스전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 일실시예는 CuO박막을 채널층으로 하는 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것으로 이동도와 점멸비(on-off ratio)가 향상되며, 저온공정에서 제작이 가능하다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/242(2013.01) H01L 29/242(2013.01) H01L 29/242(2013.01) H01L 29/242(2013.01) H01L 29/242(2013.01)
출원번호/일자 1020110050913 (2011.05.27)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1249483-0000 (2013.03.25)
공개번호/일자 10-2012-0132219 (2012.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허영우 대한민국 대구광역시 수성구
2 김정주 대한민국 대구광역시 남구
3 이준형 대한민국 대구광역시 수성구
4 성상윤 대한민국 대구광역시 달서구
5 조광민 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0400427-25
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0049476-55
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0481545-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010032-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0545544-51
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0922026-64
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0922025-18
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0128409-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
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게이트가 형성된 기판에 절연층을 형성하는 단계;아르곤(Ar)가스와 산소(O2)가스 분위기에서 스퍼터링을 통해 상기 절연층 상부에 Cu2O 박막을 형성하는 단계;상기 Cu2O 박막이 형성된 기판을 열처리하여 CuO 박막층을 형성하는 단계; 그리고상기 CuO 박막층 상부에 서로 이격하여 소스전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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기판에 서로 이격하여 소스전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스전극과 드레인 전극이 형성된 기판의 상부에 아르곤(Ar)가스와 산소(O2)가스 분위기에서 스퍼터링을 통해 Cu2O박막을 형성하는 단계;상기 Cu2O박막이 형성된 기판을 열처리하여 CuO 박막층을 형성하는 단계; 상기 CuO 박막층 상부에 절연층을 형성하는 단계; 그리고 상기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 아르곤(Ar)가스 대 산소(O2)가스 비가 4:1인 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제8항 있어서,상기 열처리는 100℃ ~ 500℃로 가열처리하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 Cu2O박막이 형성된 기판을 열처리하여 CuO 박막층을 형성하는 단계에서 형성되는 CuO 박막층의 두께는 10㎚ ~ 150㎚인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제6항 또는 제7항의 방법으로 제조된 산화물 박막 트랜지스터
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