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기판;상기 기판 위에 형성된 하드 코팅층;상기 하드 코팅층 상에 형성되며, 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터;상기 박막 트랜지스터를 포함한 기판 전면에 형성되며, 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀을 구비한 보호막; 및상기 보호막에 구비된 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되는 발광부, 및 상기 발광부 상에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어진 유기 발광 다이오드를 포함하여 이루어지며, 상기 유기 발광 다이오드의 제1 전극은 상기 드레인 전극과 연결되는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 형성되는 금속층, 및 상기 금속층 상에 형성되는 제2 도전층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유연한 유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전층은 투명한 도전물질로 이루어지고, 상기 금속층과 접하는 상기 제1 도전층 영역에는 상기 금속층 물질이 확산되어 있는 것을 특징으로 유연한 유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전층은 투명한 도전물질로 이루어지고, 상기 금속층과 접하는 상기 제2 도전층 영역에는 상기 금속층 물질이 확산되어 있는 것을 특징으로 유연한 유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층은 ITO (In2O3-SnO2), IZO (In2O3-ZnO) 또는 IZTO (In2O-ZnO-SnO2)로 이루어지고, 상기 금속층은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 백금(Pt)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유연한 유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 하드 코팅층은 아크릴계, 우레탄계 또는 실리콘계 고분자 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유연한 유기 발광소자
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기판 위에 하드 코팅층을 형성하는 공정;상기 하드 코팅층 상에 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정;상기 박막 트랜지스터를 포함한 기판 전면에서, 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀을 구비한 보호막을 형성하는 공정; 상기 보호막에 구비된 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 공정;상기 제1 전극 상에 발광부를 형성하는 공정; 및 상기 발광부 상에 제2 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, 이때, 상기 제1 전극을 형성하는 공정은, 상기 드레인 전극과 연결되는 제1 도전층을 형성하는 공정;상기 제1 도전층 상에 금속층을 형성하는 공정; 및 상기 금속층 상에 제2 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 공정은 상기 제1 도전층 상에 금속의 박막을 형성한 후 어닐링 공정을 수행하여 상기 금속물질을 상기 제1 도전층으로 확산시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기 발광소자의 제조방법
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