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단일의 양자점으로 구성되어 미리 설정된 단파장 광을 발산하는 발광층을 포함하는 전계발광부가 제1 전극과 상기 제1 전극의 상부에 배치되는 제2 전극 사이에 위치하고, 상기 발광층으로부터 발산되는 상기 단파장 광의 파장보다 높은 파장을 갖는 양자점으로 구성되어 상기 단파장 광을 흡수하여 백색광이 발광하도록 하는 컬러필터층이 상기 제1 전극의 외면 일측에 성막되는 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전계발광부는상기 제1 전극과 상기 제2 전극사이에 위치하고, 단일의 양자점으로 형성되며, 미리 설정된 파장의 광을 발산하는 발광층과;상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하고, 상기 제1 전극의 표면거칠기를 완화하는 정공공급층과;상기 정공공급층과 상기 발광층 사이에 위치하고, 상기 발광층과 상기 정공공급층 사이의 전위장벽을 감소하는 정공수송층과;상기 발광층과 상기 제2 전극사이에 위치하고, 상기 제2 전극으로 공급된 전자를 상기 발광층으로 이송하는 전자공급층; 및상기 전자공급층과 상기 발광층에 위치하고, 상기 발광층에서 광이 발산되도록 상기 전자공급층에 의해 이송되는 전자를 상기 발광층으로 전달하는 전자수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제2항에 있어서,상기 발광층은 440 ~ 490 nm의 파장대역을 갖는 단일의 양자점인 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제2항에 있어서,상기 컬러필터층은 580 ~ 620 nm의 파장대역을 갖는 단일의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제2항에 있어서,상기 컬러필터층은 단일의 양자점을 레진과 혼합한 후 상기 제1 전극의 외면 일측에 성막되는 것을 특징으로 하는 용액공정 기반의 백색광 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 산화인듐에 미리 설정된 양의 산화주석이 혼합한 인듐주석 산화물인 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제2항에 있어서,상기 전자수송층은 아연화합물과 염기성 물질을 극성용매에 용해시켜 합성된 ZnO 나노입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제8항에 있어서,상기 전자수송층은 상기 ZnO 나노입자가 미리 설정된 양의 극성용매에 분산되고, 상기 발광층에 코팅되는 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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제9항에 있어서,상기 전계발광부는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극사이에 용액공정 방식으로 제작되는 것을 특징으로 하는 단일의 양자점으로 이루어진 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
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