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백색광 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법(White quantum dots based light emitting device and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2018003792
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 백색광 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시 예에 따른 백색광 양자점 발광 소자는 제 1 전극; 제 1 전극 상의 정공주입층; 정공주입층 상의 정공수송층; 정공수송층 상의 발광층; 발광층 상의 전자수송층; 및 전자수송층 상의 제 2 전극을 포함하고, 발광층은 적색, 녹색 및 청색 양자점에 청색 발광 폴리머가 도핑된 것을 특징으로 한다. 청색 발광 폴리머는 청색 발광 여기자의 역할을 하는 동시에, 적색, 녹색 및 청색 양자점으로의 에너지 전달 특성을 통해 휘도를 향상시킨다. 실시 예에서, 청색 발광 폴리머는 440 ~ 490 nm 파장 대역에서 발광하는 플루오렌 호모 폴리머로 이루어진다. 본 실시 예에 의하면, 백색광 양자점 발광 소자의 낮은 청색 발광 효율 문제를 해결할 수 있으며, RGB 양자점으로의 에너지 전달 특성을 통해 고휘도 백색광 발광 특성을 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020160124948 (2016.09.28)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0035279 (2018.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강신원 대한민국 대구광역시 수성구
2 이준우 대한민국 경북 포항시 남구
3 이재성 대한민국 대구 남구
4 김상협 대한민국 대구 달서구
5 강병호 대한민국 대구 수성구
6 이상원 대한민국 대구광역시 달성군 화원

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0942358-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 정공주입층;상기 정공주입층 상의 정공수송층;상기 정공수송층 상의 발광층;상기 발광층 상의 전자수송층; 및상기 전자수송층 상의 제 2 전극을 포함하고,상기 발광층은 적색, 녹색 및 청색 양자점에 청색 발광 폴리머가 도핑된 것을 특징으로 하는 백색광 양자점 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 청색 발광 폴리머는,청색 발광 여기자의 역할을 하는 동시에, 상기 적색, 녹색 및 청색 양자점으로의 에너지 전달 특성을 통해 휘도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 백색광 양자점 발광 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 청색 발광 폴리머는,440 ~ 490 nm 파장 대역에서 발광하는 플루오렌 호모 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색광 양자점 발광 소자
4 4
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 발광층을 형성하는 단계는,적색, 녹색 및 청색 양자점에 청색 발광 폴리머를 도핑하여 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 백색광 양자점 발광 소자의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 청색 발광 폴리머는,440 ~ 490 nm 파장 대역에서 발광하는 플루오렌 호모 폴리머로 이루어지고, 청색 발광 여기자의 역할을 하는 동시에 상기 적색, 녹색 및 청색 양자점으로의 에너지 전달 특성을 통해 휘도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 백색광 양자점 발광 소자의 제조 방법
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1 WO2018062677 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2018062677 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경북대학교 핵심연구지원사업 양자점 기반 수직형 발광 트랜지스터(QDLET) 개발