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베이스 기판 상에 위치하는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층;상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극; 그리고상기 제 1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공주입/수송층을 포함하며,상기 정공주입/수송층은 그래핀 및 그래핀 옥사이드 중의 적어도 하나와, 산화 니켈을 포함하고, 상기 그래핀 또는 상기 그래핀 옥사이드는 상기 산화니켈의 표면에 배위결합된 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀은, 시트르산을 200℃ 내지 500℃로 가열하고, 제 1 시간 후에 NaOH에 넣어 분산시켜 합성된 발광 소자
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제 3 항에 있어서,상기 그래핀 옥사이드는, 시트르산을 200℃ 내지 500℃로 가열하고, 제 2 시간 후에 NaOH에 넣어 분산시켜 합성된 발광 소자
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 시간은 상기 제 2 시간보다 짧은 발광 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 시간은 30분 내지 1시간 30분의 시간이며,상기 제 2 시간은 1시간 30분 내지 2시간 30분의 시간인 발광 소자
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제 6 항에 있어서,상기 발광 소자는, 상기 발광층과 상기 제 2 전극과 사이에 위치하는 전자수송층을 더 포함하되,상기 전자수송층은 ZnO 나노입자를 포함하는 발광 소자
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제 7 항에 있어서,상기 ZnO 나노입자는 아연화합물과 염기성 물질을 알코올 용매에 용해시켜 합성된, 발광 소자
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제 8 항에 있어서,상기 발광 소자는, 상기 ZnO 나노입자의 합성 시 상기 알코올 용매와 상기 염기성 물질의 농도에 따라 HOMO 준위 또는/및 LUMO 준위가 변화하여, 상기 발광층과의 밴드갭 레벨링 조절이 가능한 발광 소자
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제 9 항에 있어서,상기 ZnO 나노입자는 극성 또는 비극성 계면활성제로 계면 처리된 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 ZnO 나노입자는 금속 물질로 도핑 처리된 발광 소자
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발광 소자를 제조하는 제조 방법에 있어서,정공주입/수송층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 정공주입/수송층은 그래핀 및 그래핀 옥사이드 중의 적어도 하나와, 산화 니켈을 포함하고, 상기 그래핀 또는 상기 그래핀 옥사이드는 상기 산화니켈의 표면에 배위결합된 발광 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 그래핀은, 시트르산을 200℃ 내지 500℃로 가열하고, 제 1 시간 후에 NaOH에 넣어 분산시켜 합성되는 발광 소자 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 그래핀 옥사이드는, 시트르산을 200℃ 내지 500℃로 가열하고, 제 2 시간 후에 NaOH에 넣어 분산시켜 합성되는 발광 소자 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 1 시간은 상기 제 2 시간보다 짧은 발광 소자 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 시간은 30분 내지 1시간 30분의 시간이며,상기 제 2 시간은 1시간 30분 내지 2시간 30분의 시간인 발광 소자 제조 방법
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