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양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법(Quantum dots based light emitting device and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2018003793
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광 소자는 제 1 전극; 제 1 전극 상의 정공주입층; 정공주입층 상의 정공수송층; 정공수송층 상의 발광층; 발광층 상의 전자수송층; 및 전자수송층 상의 제 2 전극을 포함하고, 발광층은 양자점 및 탄소 양자점이 혼합되어 이루어진다. 탄소 양자점은 양자점의 응집을 방지하고, 전하의 수송층 버퍼(buffer) 역할을 한다. 탄소 양자점은 옥타데신(Octadecene)과 올레이아민(Oleyamine)을 혼합하여 가열한 후, 구연산(Citric acid)을 첨가하여 혼합한 후 가열한 다음 냉각시켜 합성될 수 있다. 본 발명의 실시 예에 의하면, 양자점 응집 문제를 해소하고 효율적인 전하 이동을 도모하여 양자점 발광 소자의 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020160124944 (2016.09.28)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0035278 (2018.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강신원 대한민국 대구광역시 수성구
2 김세완 대한민국 대구 중구
3 이재성 대한민국 대구 남구
4 강병호 대한민국 대구 수성구
5 이상원 대한민국 대구광역시 달성군 화원

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0942302-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 정공주입층;상기 정공주입층 상의 정공수송층;상기 정공수송층 상의 발광층;상기 발광층 상의 전자수송층; 및상기 전자수송층 상의 제 2 전극을 포함하고,상기 발광층은 양자점 및 탄소 양자점이 혼합되어 이루어진 양자점 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 탄소 양자점은 상기 양자점의 응집을 방지하고, 전하의 수송층 버퍼(buffer) 역할을 하는 양자점 발광 소자
3 3
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 발광층을 형성하는 단계는,양자점 및 탄소 양자점을 혼합하여 상기 발광층을 제조하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 탄소 양자점은 상기 양자점의 응집을 방지하고, 전하의 수송층 버퍼(buffer) 역할을 하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법
5 5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계는,탄소 양자점을 합성하는 단계; 및상기 탄소 양자점을 상기 양자점과 혼합하여 상기 정공수송층 상에 상기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 탄소 양자점을 합성하는 단계는,옥타데신(Octadecene)과 올레이아민(Oleyamine)을 혼합하여 가열한 후, 구연산(Citric acid)을 첨가하여 혼합한 후 가열한 다음 냉각시켜 상기 탄소 양자점을 합성하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경북대학교 핵심연구지원사업 양자점 기반 수직형 발광 트랜지스터(QDLET) 개발