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실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트랜지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질이 포함된 친수성 고분자 감지막(12)을 형성시킨 이중막 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서를 이용한 이온센서
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통상적인 반도체제조공정으로 실리콘기판(1)상에 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 질화실리콘(5) 및 알루미늄금속전극(6)을 순차 형성하고, 상기 질화실리콘(5)의 pH감지게이트(8) 상에 친유성 고분자 감광액을 회전 도포하고 건조하여 친유성 고분자막(11)을 형성한 후 그 위에 감지물질이 포함된 친수성 고분자 감광액을 회전도포하고 건조한 다음 마스크를 놓고 자외선 광원에 노광하고 용매로 현상하는 사진식각공정을 통하여 절연방수 기능의 친유성 고분자박막(12)을 형성하여 친유성 고분자 박막과 친수성 감지막의 이중막 구조를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서를 이용한 이온센서
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제2항에 있어서, 상기 친유성 고분자박막(11)을 반도체제조공정에 쓰이는 네가티브포토레지스트인 환화고무에 감광성 고분자(OMR-83)로 형성하고, 친수성 고분자 감지막으로는(PVP-PVAc용(poly[vinyl pyrrolidinone-co-vinyl acetate])를 사용하여 형성시킨 이중막 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서를 이용한 이온센서의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 친수성 감지막용 고분자 감광액에 감지물질로서 발리노마이신이 포함되도록 하여 칼륨이온센서를 제조하는 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서를 이용한 이온센서의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 친수성 감지막용 고분자 감광액에 감지물질로서 N,N,N',N'-tetracyclohexyl-3-oxpentadiamine(ETH-129)을 포함시켜 칼슘이온센서가 제조하는 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서를 이용한 이온센서의 제조방법
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