맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

P-N접합을이용한ISFET의인캡슐레이션방법

  • 기술번호 : KST2015223592
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ISFET의 인캡슐레이션방법 및 인캡슐레이션용 측정회로에 관한 것으로, 감이온게이트가 없는 측의 ISFET소자를 용액상태의 절연물질에 담아 도포하되 감이온게이트가 도포되지 않도록 하고, 도포된 ISFET소자에 측정회로를 연결하여 이온의 농도를 측정하고자 하는 용액(피측정용액)에 넣어 이온의 농도를 측정함으로써 p형웰과 n형기판이 역바이어스 상태로 되어 ISFET소자와 피측정용액의 전기적 절연을 실현하는 p-n접합을 이용한 ISFET의 인캡슐레이션방법 및 인캡슐레이션방법이다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01)
CPC G01N 27/4148(2013.01)
출원번호/일자 1019930004344 (1993.03.20)
출원인 대한민국경북대학교센서기술연구소
등록번호/일자 10-0113869-0000 (1997.04.04)
공개번호/일자 10-1994-0022085 (1994.10.20) 문서열기
공고번호/일자 1019960007788 (19960612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.03.20)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손병기 대한민국 대구직할시수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구광역시북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.03.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023924-82
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.03.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023925-27
3 특허출원서
Patent Application		 1993.03.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023923-36
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0008658-27
5 등록사정서
Decision to grant		 1996.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0008659-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0028808-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistor)소자를 용액상태의 절연물질에 담아 금속접점(2,3,4,5)까지 도포하되 감이온게이트(1)가 도포되지 않도록 하고, 도포된 ISFET소자에 측정회로를 연결하여 이온의 농도를 측정하고자 하는 용액(피측정용액)에 넣어 이온의 농도를 측정함으로써 p형웰과 n형기판은 역바이어스 상태로되어 ISFET소자와 피측정용액사이의 전기적 절연을 실현하게 됨을 특징으로 하는 p-n접합을 이용한 ISFET의 인캡슐레이션방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.