| 요약 |
본 발명은 수소이온 감지소자에 관한 것으로, 기준전극; 이온 수용액과 접촉하여 수소이온을 감지하는 감지부; 및 측면 컬렉터, 베이스, 에미터, 수직 컬렉터, 게이트 및 상기 기준전극과 연결되는 플로팅게이트를 포함하고, 상기 에미터를 상기 측면 컬렉터가 둘러싸는 고리형 형상을 갖는 수평형 바이폴라 트랜지스터(LBJT: Lateral Bipolar Junction Transistor)를 포함하되, 공통의 기판에 상기 수평형 바이폴라 트랜지스터(LBPT: Lateral Bipolar Transistor)가 복수개 구비되고, 상기 복수개의 수평형 바이폴라 트랜지스터가 병렬 연결되는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명을 제공하면, 에미터 전압(voltage)을 고정한 상태에서 베이스 전류에 의해 조정이 가능하고, X축과 Y축 값의 극성은 공통-컬렉터 설정으로 구동되는 p-channel MOSFET와 비교해 볼 때 positive이며 또한 포화 영역(saturation region)에서 동작하는 ISFET와 비교할 때 소자는 선형 영역(active mode)에서 동작하게 된다. 또한, 단일 gated lateral BJT보다 감지면적 및 감도를 크게 향상시키며, 감도는 게이트 전압 및 베이스 전류에 의해서 조절이 가능할 뿐만 아니라, n-well에서도 1사분면에서 동작이 가능하며 생산비용을 크게 줄일 수 있다.
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