| 요약 |
본 발명은 이중 게이트를 갖는 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 이용한 이온 감지소자에 관한 것으로, 기준전극; 이온 수용액과 접촉하여 수소이온을 감지하는 감지부; 및 측면 콜렉터, 베이스, 에미터, 상기 수용액과 접촉하는 센싱 게이트 및 접촉하지 않는 보조 게이트를 구비하며, 상기 에미터를 상기 게이트 및 측면 콜렉터가 둘러싸는 고리 형상을 갖는 수평형 바이폴라 트랜지스터(LBJT: Lateral Bipolar Junction Transistor)를 포함하되, 상기 센싱 게이트 및 보조 게이트는 상기 고리 형상에서 반씩 양분되는 것을 특징으로 한다.이와 같은 본 발명을 제공하면, 기존의 ISFET처럼 게이트 전압에 의해 동작점을 조정 가능할 뿐만 아니라, 에미터 전압(voltage)을 고정한 상태에서 베이스 전류에 의해 동작점의 조정이 가능하다. 또한, 개방 게이트(open gate) 방식의 LPCVD로 형성된 양질의 질화막을 사용할 수 있다는 장점과 소자에 알맞게 제작공정을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 게이트 감지막에 병렬로 연결된 FET는 소자의 동작점을 조정시키고 기준전극과 수용액없이도 소자의 전기적 특성을 확인할 수 있으며, 측정간 소자에 축적되는 전하를 방전시켜 소자의 파괴방지 및 특성을 안정화시키는 장점이 있다.
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