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구리 이온 검출용 프로버 및 이를 이용하는 구리 이온의 검출 방법(PROBER FOR DETECTING A COPPER ION AND METHOD OF DETECTING A COPPER ION USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016007176
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 구리 이온 검출용 프로버는 5.6 내지 11.2 nM 범위의 농도를 갖고, CTAB으로 수식된(modified) 코어셀 구조의 반도체 양자점, 0.1 내지 10 mM 범위의 농도를 갖고, 반도체 양자점의 표면에 부착된 티오황화염 및 나머지 용매를 포함한다.
Int. CL G01N 31/22 (2006.01) G01N 33/20 (2006.01) G01N 21/76 (2006.01) G01N 21/77 (2006.01)
CPC G01N 21/76(2013.01) G01N 21/76(2013.01) G01N 21/76(2013.01) G01N 21/76(2013.01) G01N 21/76(2013.01)
출원번호/일자 1020140110923 (2014.08.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0024286 (2016.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한창수 대한민국 서울특별시 노원구
2 김려화 중국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0806495-34
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0150991-19
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0943965-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0075174-35
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0036834-30
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0241518-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
5
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 양자점은 CdSe(코어)/ZnS(셀)인 것을 특징으로 하는 구리 이온 검출용 프로버
3 3
제1항에 있어서, 5
4 4
CTAB으로 수식된 코어셀 구조의 반도체 양자점 및 티오황화염을 용매 내에 첨가하여 구리 이온 검출용 프로버를 제조하는 단계;상기 프로버에 구리 이온을 검출하기 위하여 시료를 첨가하는 단계; 및상기 검출 용액으로부터 발생되는 고유 발광성의 감소 정도를 확인하는 단계를 포함하는 구리 이온의 검출 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 티오??화염은 0
6 6
제5항에 있어서, 상기 반도체 양자점은 5
7 7
제5항에 있어서, 5
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.