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입력된 다위상 신호를 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 1 가변 지연부;상기 제 1 가변 지연부에서 지연된 다위상 신호 중 두 신호를 선택하여 출력하는 선택부;상기 두 신호 중 어느 하나를 상기 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 2 가변 지연부;상기 제 2 가변 지연부에서 출력된 신호의 위상과 상기 두 신호 중 다른 하나의 위상을 비교하는 위상 비교부;상기 위상 비교부에서 출력된 신호에 따라 상기 지연 제어 신호를 갱신하는 필터; 및상기 지연 제어 신호를 상기 제 1 가변 지연부 또는 제 2 가변 지연부에 제공하는 지연 제어 신호 선택부를 포함하되,상기 다위상 신호는 주기는 동일하고 위상이 상이한 다수의 신호로서 헤드 신호와 테일 신호를 포함하고, 상기 테일 신호는 상기 헤드 신호의 위상을 기준으로 상기 다위상 신호 중 위상이 가장 뒤지는 신호에 대응하며, 상기 헤드 신호는 상기 테일 신호의 위상을 기준으로 상기 테일 신호보다 위상이 뒤지면서 상기 테일 신호에 가장 인접한 신호에 대응하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 위상 비교부는 상기 두 신호의 위상차와 상기 제 2 가변 지연부의 지연량을 비교하는 반도체 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 필터는 상기 두 신호의 위상차와 상기 제 2 가변 지연부의 지연량의 차이가 줄어드는 방향으로 상기 지연 제어 신호를 갱신하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 가변 지연부는 상기 다위상 신호 중 상기 헤드 신호를 제외한 나머지 신호들을 상기 지연 제어 신호에 따라 가변 지연하는 다수의 지연부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 4에 있어서, 상기 선택부는 제 1 선택 신호에 따라 상기 두 신호 중 하나를 선택하는 제 1 선택부와 제 2 선택 신호에 따라 상기 두 신호 중 다른 하나를 선택하는 제 2 선택부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 5에 있어서, 상기 두 신호는 위상이 가장 인접한 신호인 반도체 장치
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청구항 6에 있어서, 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호인 경우 상기 제 2 선택부는 상기 헤드 신호를 선택하는 반도체 장치
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청구항 5에 있어서, 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호인 경우 상기 지연 제어 신호 선택부는 상기 지연 제어 신호를 상기 제 2 가변 지연부에 제공하고 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호가 아닌 경우 상기 지연 제어 신호 선택부는 상기 지연 제어 신호를 상기 제 1 가변 지연부에 제공하는 반도체 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호가 아닌 경우 상기 1 가변 지연부는 상기 제 2 선택부에서 선택된 신호의 지연을 제어하는 지연부에 제공하는 반도체 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 제 1 가변 지연부에서 출력된 신호에 따라 상기 제 1 선택 신호와 상기 제 2 선택 신호를 생성하는 제 1 제어부를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 10에 있어서, 상기 제 1 제어부는 상기 제 1 선택부가 상기 헤드 신호부터 상기 테일 신호까지 순차적으로 선택하도록 제 1 선택 신호를 생성하는 반도체 장치
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청구항 10에 있어서, 상기 제 1 제어부는 제 1 선택부에서 선택된 신호에 따라 갱신된 상기 지연 제어 신호가 상기 제 1 가변 지연부 또는 상기 제 2 가변 지연부에 제공되어 그 지연량이 변경된 이후에 다른 신호를 선택하도록 상기 제 1 선택 신호를 생성하는 반도체 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 필터는 상기 제 1 가변 지연부에 제공할 지연 제어 신호와 상기 제 2 가변 지연부에 제공할 지연 제어 신호를 구분하여 저장하는 레지스터와 상기 위상 비교부의 비교 결과에 따라 상기 지연 제어 신호를 갱신하는 연산부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 13에 있어서, 상기 레지스터는 제 1 클록 신호에 동기되어 동작하는 쉬프트 레지스터로서, 상기 제 1 클록 신호는 상기 제 2 가변 지연부의 출력을 제 1 시간만큼 지연한 신호인 반도체 장치
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청구항 14에 있어서, 상기 제 1 시간은 상기 위상 비교부의 동작 시간에 대응하는 반도체 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 지연 제어 신호 선택부는 제 2 클록 신호에 동기되어 동작하되 상기 제 2 클록 신호는 상기 제 2 가변 지연부의 출력을 제 2 시간만큼 지연한 신호인 반도체 장치
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청구항 16에 있어서, 상기 제 2 시간은 상기 위상 비교부 및 상기 필터의 동작 시간에 대응하는 반도체 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 제 2 가변 지연부는 상기 지연 제어 신호를 반전하는 반전부; 및 상기 반전부의 제어에 따라 상기 제 1 선택부의 출력을 가변 지연하여 출력하는 지연부를 포함하는 반도체 장치
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