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반도체 장치(SEMICONDUCTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016010839
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술에 의한 반도체 장치는 입력된 다위상 신호를 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 1 가변 지연부, 제 1 가변 지연부에서 지연된 다위상 신호 중 두 신호를 선택하여 출력하는 선택부, 두 신호 중 어느 하나를 상기 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 2 가변 지연부, 제 2 가변 지연부에서 출력된 신호의 위상과 두 신호 중 다른 하나의 위상을 비교하는 위상 비교부, 위상 비교부에서 출력된 신호에 따라 지연 제어 신호를 갱신하는 필터; 및 지연 제어 신호를 제 1 가변 지연부 또는 제 2 가변 지연부에 제공하는 지연 제어 신호 선택부를 포함한다.
Int. CL H03K 5/13 (2014.01.01) H03L 7/081 (2006.01.01)
CPC H03K 5/13(2013.01) H03K 5/13(2013.01) H03K 5/13(2013.01)
출원번호/일자 1020140162976 (2014.11.20)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1970845-0000 (2019.04.15)
공개번호/일자 10-2016-0060515 (2016.05.30) 문서열기
공고번호/일자 (20190813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.17)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용조 대한민국 경기도 광명시 디
2 조성환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선종 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 *** (서초동, 서초현대타워아파트) ****(김선종 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1122555-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1147346-53
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0872891-88
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0086653-46
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0086665-94
10 등록결정서
Decision to grant
2019.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0251204-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5020635-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력된 다위상 신호를 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 1 가변 지연부;상기 제 1 가변 지연부에서 지연된 다위상 신호 중 두 신호를 선택하여 출력하는 선택부;상기 두 신호 중 어느 하나를 상기 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 2 가변 지연부;상기 제 2 가변 지연부에서 출력된 신호의 위상과 상기 두 신호 중 다른 하나의 위상을 비교하는 위상 비교부;상기 위상 비교부에서 출력된 신호에 따라 상기 지연 제어 신호를 갱신하는 필터; 및상기 지연 제어 신호를 상기 제 1 가변 지연부 또는 제 2 가변 지연부에 제공하는 지연 제어 신호 선택부를 포함하되,상기 다위상 신호는 주기는 동일하고 위상이 상이한 다수의 신호로서 헤드 신호와 테일 신호를 포함하고, 상기 테일 신호는 상기 헤드 신호의 위상을 기준으로 상기 다위상 신호 중 위상이 가장 뒤지는 신호에 대응하며, 상기 헤드 신호는 상기 테일 신호의 위상을 기준으로 상기 테일 신호보다 위상이 뒤지면서 상기 테일 신호에 가장 인접한 신호에 대응하는 반도체 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 위상 비교부는 상기 두 신호의 위상차와 상기 제 2 가변 지연부의 지연량을 비교하는 반도체 장치
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 필터는 상기 두 신호의 위상차와 상기 제 2 가변 지연부의 지연량의 차이가 줄어드는 방향으로 상기 지연 제어 신호를 갱신하는 반도체 장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 가변 지연부는 상기 다위상 신호 중 상기 헤드 신호를 제외한 나머지 신호들을 상기 지연 제어 신호에 따라 가변 지연하는 다수의 지연부를 포함하는 반도체 장치
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 선택부는 제 1 선택 신호에 따라 상기 두 신호 중 하나를 선택하는 제 1 선택부와 제 2 선택 신호에 따라 상기 두 신호 중 다른 하나를 선택하는 제 2 선택부를 포함하는 반도체 장치
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 두 신호는 위상이 가장 인접한 신호인 반도체 장치
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호인 경우 상기 제 2 선택부는 상기 헤드 신호를 선택하는 반도체 장치
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호인 경우 상기 지연 제어 신호 선택부는 상기 지연 제어 신호를 상기 제 2 가변 지연부에 제공하고 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호가 아닌 경우 상기 지연 제어 신호 선택부는 상기 지연 제어 신호를 상기 제 1 가변 지연부에 제공하는 반도체 장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 제 1 선택부에서 선택된 신호가 상기 테일 신호가 아닌 경우 상기 1 가변 지연부는 상기 제 2 선택부에서 선택된 신호의 지연을 제어하는 지연부에 제공하는 반도체 장치
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 제 1 가변 지연부에서 출력된 신호에 따라 상기 제 1 선택 신호와 상기 제 2 선택 신호를 생성하는 제 1 제어부를 더 포함하는 반도체 장치
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 제 1 제어부는 상기 제 1 선택부가 상기 헤드 신호부터 상기 테일 신호까지 순차적으로 선택하도록 제 1 선택 신호를 생성하는 반도체 장치
12 12
청구항 10에 있어서, 상기 제 1 제어부는 제 1 선택부에서 선택된 신호에 따라 갱신된 상기 지연 제어 신호가 상기 제 1 가변 지연부 또는 상기 제 2 가변 지연부에 제공되어 그 지연량이 변경된 이후에 다른 신호를 선택하도록 상기 제 1 선택 신호를 생성하는 반도체 장치
13 13
청구항 8에 있어서, 상기 필터는 상기 제 1 가변 지연부에 제공할 지연 제어 신호와 상기 제 2 가변 지연부에 제공할 지연 제어 신호를 구분하여 저장하는 레지스터와 상기 위상 비교부의 비교 결과에 따라 상기 지연 제어 신호를 갱신하는 연산부를 포함하는 반도체 장치
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 레지스터는 제 1 클록 신호에 동기되어 동작하는 쉬프트 레지스터로서, 상기 제 1 클록 신호는 상기 제 2 가변 지연부의 출력을 제 1 시간만큼 지연한 신호인 반도체 장치
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 제 1 시간은 상기 위상 비교부의 동작 시간에 대응하는 반도체 장치
16 16
청구항 8에 있어서, 상기 지연 제어 신호 선택부는 제 2 클록 신호에 동기되어 동작하되 상기 제 2 클록 신호는 상기 제 2 가변 지연부의 출력을 제 2 시간만큼 지연한 신호인 반도체 장치
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 제 2 시간은 상기 위상 비교부 및 상기 필터의 동작 시간에 대응하는 반도체 장치
18 18
청구항 8에 있어서, 상기 제 2 가변 지연부는 상기 지연 제어 신호를 반전하는 반전부; 및 상기 반전부의 제어에 따라 상기 제 1 선택부의 출력을 가변 지연하여 출력하는 지연부를 포함하는 반도체 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09490788 US 미국 FAMILY
2 US20160149563 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016149563 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9490788 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.