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차동 입력 신호를 증폭하여 출력하는 2개의 증폭용 능동 소자를 포함하는 차동 증폭부; 및입력 전류를 입력받는 입력단과 상기 입력 전류를 기초로 출력 전류를 제공하는 출력단을 포함하고, 제1 능동 소자를 포함하며, 상기 입력 전류는 상기 제1 능동 소자의 게이트부와 연결된 제1 외부 전압에 의해 제어되는 전류 미러(mirror)부를 포함하고,상기 2개의 증폭용 능동 소자의 소스(source)부 간의 접점인 공통 노드는 상기 출력단과 연결되며, 상기 공통 노드와 상기 출력단 지점에 흐르는 전류는 상기 출력 전류에 의해 제어되며,상기 차동 증폭부는 제2 능동 소자 및 제3 능동 소자를 포함하고,상기 2개의 증폭용 능동 소자의 드레인부 각각은 상기 제2 능동 소자 및 상기 제3 능동 소자와 연결되며,상기 2개의 증폭용 능동 소자의 드레인부에 흐르는 드레인 전류 각각은,상기 제2 능동 소자의 게이트부에 연결된 제2 외부 전압과 상기 제3 능동 소자의 게이트부에 연결된 제3 외부 전압에 의해 제어되는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 입력 전류는,전원단과 상기 입력단 사이의 제1 임피던스를 흐르는 고정 전류와, 상기 제1 능동 소자의 소스부와 상기 입력단 사이의 제2 임피던스에 흐르며 상기 제1 외부 전압에 의해 제어되는 가변 전류의 합인 것을 특징으로 하는제어 회로
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제 2 항에 있어서,상기 입력 전류는,상기 제1 임피던스의 값과 상기 제2 임피던스의 값의 비율에 의하여 변화되는 폭이 정해지는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 2개의 증폭용 능동 소자는 제1 증폭용 능동 소자 및 제2 증폭용 능동 소자이며,상기 제1 증폭용 능동 소자에 흐르는 제1 드레인 전류는,전원단과 상기 제1 증폭용 능동 소자의 제1 드레인부 사이의 제3 임피던스를 흐르는 고정 전류와, 상기 제2 능동 소자의 제2 소스부와 상기 제1 드레인부 사이의 제4 임피던스를 흐르고 상기 제2 외부 전압에 의해 제어되는 가변 전류의 합이고,상기 제2 증폭용 능동 소자에 흐르는 제2 드레인 전류는,전원단과 상기 제2 증폭용 능동 소자의 제2 드레인부 사이의 제5 임피던스를 흐르는 고정 전류와, 상기 제3 능동 소자의 제3 소스부와 상기 제2 드레인부 사이의 제6 임피던스를 흐르고 상기 제3 외부 전압에 의해 제어되는 가변 전류의 합인 것을 특징으로 하는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 차동 증폭부는 제4 능동 소자와 제5 능동 소자를 더 포함하고,상기 차동 증폭부가 출력하는 출력 신호의 양단은,각각 상기 제4 능동 소자 및 상기 제5 능동 소자의 게이트부와 연결되는제어 회로
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제 6 항에 있어서,상기 제4 능동 소자의 드레인부 및 상기 제5 능동 소자의 드레인부는, 상기 증폭된 차동 입력 신호를 기초로 제1 모니터링 신호를 출력하는제어 회로
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제 6 항에 있어서,상기 제4 능동 소자의 소스부 및 상기 제5 능동 소자의 소스부는, 상기 증폭된 차동 입력 신호를 기초로 제2 모니터링 신호를 출력하는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 제1 능동 소자의 게이트부와 상기 제1 외부 전압 사이에는 저역 통과 필터부가 연결되는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 제2 능동 소자의 제2 게이트부와 상기 제2 외부 전압 사이 또는 상기 제3 능동 소자의 제3 게이트부와 상기 제3 외부 전압 사이에는 저역 통과 필터부가 연결되는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 2개의 증폭용 능동 소자 또는 상기 제1 능동 소자는,NMOSFET 타입, PMOSFET 타입, JFET 타입, MESFET 타입, HEMT 타입, BJT 타입 또는 HBT 타입 중 어느 하나인 것을 특징으로 하고,상기 2개의 증폭용 능동 소자 또는 상기 제1 능동 소자가 상기 BJT 타입 또는 상기 HBT 타입 중 어느 하나인 경우, 상기 제1 능동 소자의 게이트부는 상기 제1 능동 소자의 베이스부로 대체되고 상기 2개의 증폭용 능동 소자의 소스부는 상기 2개의 증폭용 능동 소자의 에미터부로 대체되는 것을 특징으로 하는제어 회로
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제 1 항에 있어서,상기 차동 증폭부가 출력하는 출력 신호의 양단은,상기 제어 회로와 동일한 구성의 타 제어 회로의 차동 입력 신호가 입력되는 입력단에 연결되는제어 회로
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