| 1 |
1
샘플 신호에 따라 제 1 노드에서 액티브 기준 전압을 출력하는 밴드갭 레퍼런스 회로;상기 샘플 신호에 따라 상기 액티브 기준 전압을 이용하여 제 1 커패시터에 전하를 충전하는 제 1 충전 회로;상기 샘플 신호에 따라 상기 액티브 기준 전압을 이용하여 제 2 커패시터에 전하를 충전하는 제 2 충전 회로; 및상기 제 1 커패시터와 상기 제 2 커패시터의 충전 전압의 차이를 임계점과 비교하는 비교 회로를 포함하되,상기 샘플 신호는 상기 비교 회로의 출력으로부터 생성되는 펄스 신호이고, 저전력 모드에서 상기 제 1 커패시터의 충전 전압을 저전력 기준 전압으로 제공하는 기준 전압 생성 회로
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| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 밴드갭 레퍼런스 회로는 정상 모드에서 항상 턴온되어 상기 액티브 기준 전압을 제공하고, 상기 저전력 모드에서 상기 샘플 신호에 따라 턴온되어 상기 액티브 기준 전압을 제공하는 기준 전압 생성 회로
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| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 커패시터의 용량은 상기 제 1 커패시터의 용량보다 더 작은 기준 전압 생성 회로
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| 4 |
4
청구항 1에 있어서, 상기 비교 회로의 출력으로부터 상기 샘플 신호를 출력하는 샘플 신호 생성 회로를 더 포함하되, 상기 샘플 신호 생성 회로는상기 비교 회로의 출력에 동기하여 일정한 폭을 갖는 펄스 신호를 생성하는 펄스 신호 생성 회로를 포함하되, 상기 일정한 폭은 적어도 상기 제 1 커패시터를 상기 저전력 기준 전압으로 충전하는데 필요한 시간에 대응하는 기준 전압 생성회로
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| 5 |
5
청구항 4에 있어서, 상기 샘플 신호 생성 회로는 상기 비교 회로의 출력을 지연하여 상기 펄스 신호 생성 회로에 제공하는 지연 회로를 더 포함하는 기준 전압 생성 회로
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| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 비교 회로는게이트에 상기 제 1 커패시터의 충전 전압이 입력되는 제 1 입력 트랜지스터와 제 3 입력 트랜지스터;게이트에 상기 제 2 커패시터의 충전 전압이 입력되는 제 2 입력 트랜지스터와 제 4 입력 트랜지스터;상기 제 1 입력 트랜지스터와 상기 제 2 입력 트랜지스터의 소스에 공통 연결된 제 1 전류원;상기 제 3 입력 트랜지스터와 상기 제 4 입력 트랜지스터의 소스에 공통 연결된 제 2 전류원;상기 제 2 입력 트랜지스터와 상기 제 3 입력 트랜지스터의 드레인에 공통 연결된 제 3 전류원;상기 제 2 입력 트랜지스터와 상기 제 3 입력 트랜지스터의 드레인 전압에 따라 출력 전압이 제어되는 출력 회로를 포함하는 기준 전압 생성 회로
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| 7 |
7
청구항 6에 있어서, 상기 제 1 입력 트랜지스터와 제 2 입력 트랜지스터의 크기 비와 상기 제 3 입력 트랜지스터와 상기 제 4 입력 트랜지스터의 크기 비는 서로 역이며, 상기 제 1 입력 트랜지스터와 상기 제 2 입력 트랜지스터의 크기는 서로 다른 기준 전압 생성 회로
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| 8 |
8
청구항 7에 있어서, 상기 임계점은 상기 제 1 입력 트랜지스터와 제 2 입력 트랜지스터의 크기 비에 따라 결정되는 기준 전압 생성 회로
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9
청구항 6에 있어서, 상기 출력 회로는상기 제 2 입력 트랜지스터의 드레인에 게이트가 연결되고 드레인이 출력 노드에 연결된 트랜지스터; 및상기 출력 노드에 연결된 제 4 전류원을 포함하는 기준 전압 생성 회로
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| 10 |
10
청구항 1에 있어서, 상기 저전력 기준 전압으로부터 기준 전류를 생성하는 기준 전류 생성 회로를 더 포함하되, 상기 비교 회로 및 상기 샘플 신호 생성 회로는 상기 기준 전류를 미러링하여 바이어스 전류를 생성하는 기준 전압 생성 회로
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| 11 |
11
청구항 10에 있어서, 상기 기준 전류 생성 회로는상기 저전력 기준 전압을 게이트에 인가받는 NMOS 트랜지스터;상기 NMOS 트랜지스터의 소스와 접지 사이에 연결된 저항; 및전원에 소스가 연결되고 상기 NMOS 트랜지스터의 드레인에 드레인과 게이트가 연결된 다이오드 연결 PMOS 트랜지스터를 포함하는 기준 전압 생성 회로
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12
청구항 11에 있어서, 상기 기준 전류 생성 회로는상기 다이오드 연결 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 NMOS 트랜지스터의 드레인 사이에 연결된 저항을 더 포함하는 기준 전압 생성 회로
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13
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 충전 회로는 상기 샘플 신호에 따라 상기 제 1 노드와 상기 제 1 커패시터를 연결 또는 차단하는 제 1 스위치를 포함하고, 상기 제 2 충전 회로는 상기 샘플 신호에 따라 상기 제 1 노드와 상기 제 2 커패시터 사이를 연결 또는 차단하는 제 2 스위치를 포함하는 기준 전압 생성회로
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14
청구항 13에 있어서,상기 제 1 스위치가 턴오프되는 경우 상기 제 1 스위치의 일단에 양의 전압을 제공하는 제 3 충전 회로; 및상기 제 2 스위치가 턴오프되는 경우 상기 제 2 스위치의 일단에 양의 전압을 제공하는 제 4 충전 회로를 더 포함하는 기준 전압 생성 회로
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15
청구항 14에 있어서, 상기 제 3 충전 회로는 상기 제 1 스위치의 일단에 연결된 제 3 커패시터를 포함하고, 상기 제 4 충전 회로는 상기 제 2 스위치의 일단에 연결된 제 4 커패시터를 포함하는 기준 전압 생성 회로
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16
청구항 15에 있어서, 상기 제 3 충전 회로는 상기 샘플 신호에 따라 상기 제 1 노드와 상기 제 3 커패시터를 연결 또는 차단하는 제 3 스위치를 포함하고, 상기 제 4 충전 회로는 상기 샘플 신호에 따라 상기 제 1 노드와 상기 제 4 커패시터를 연결 또는 차단하는 제 4 스위치를 포함하는 기준 전압 생성 회로
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17
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 커패시터의 전하량을 일정하게 유지하는 보상 회로를 더 포함하는 기준 전압 생성 회로
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18
청구항 17에 있어서, 상기 보상 회로는상기 제 1 커패시터에 연결되어 상기 저전력 기준 전압이 인가되는 양의 입력단, 음의 입력단, 출력단을 포함하는 증폭기;상기 출력단과 상기 양의 입력단 사이에 연결된 제 1 보상 커패시터;상기 출력단과 상기 음의 입력단 사이에 연결된 제 2 보상 커패시터; 및상기 음의 입력단과 접지 사이에 연결된 제 3 보상 커패시터를 포함하는 기준 전압 생성 회로
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19
청구항 18에 있어서, 상기 제 3 보상 커패시터의 용량은 상기 제 1 커패시터의 용량보다 작고, 상기 제 1 보상 커패시터 및 상기 제 2 보상 커패시터의 용량은 동일하되 상기 제 3 보상 커패시터의 용량보다 더 작게 설정되는 기준 전압 생성 회로
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20
청구항 18에 있어서, 상기 제 2 보상 커패시터에 병렬 연결되며 상기 샘플 신호가 활성화되는 경우 턴온되는 스위치를 더 포함하는 기준 전압 생성 회로
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21
샘플 신호에 따라 제 1 노드에서 액티브 기준 전압을 출력하는 밴드갭 레퍼런스 회로;상기 샘플 신호에 따라 상기 액티브 기준 전압을 이용하여 제 1 커패시터에 전하를 충전하는 제 1 충전 회로;상기 제 1 커패시터의 충전 전압과 비교 전압이 인가되는 증폭기를 포함하며 상기 제 1 커패시터의 전하량을 일정하게 유지하는 보상 회로;상기 제 1 커패시터의 충전 전압과 상기 비교 전압의 차이를 임계점과 비교하는 비교 회로를 포함하되,상기 샘플 신호는 상기 비교 회로의 출력으로부터 생성되는 펄스 신호이고, 저전력 모드에서 상기 제 1 커패시터의 충전 전압을 저전력 기준 전압으로 제공하는 기준 전압 생성 회로
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22
청구항 21에 있어서, 상기 증폭기는 상기 제 1 커패시터의 충전 전압이 인가되는 양의 입력단, 상기 비교 전압이 인가되는 음의 입력단과 출력단을 포함하고, 상기 보상 회로는상기 증폭기의 출력단과 상기 양의 입력단 사이에 연결된 제 1 보상 커패시터, 상기 출력단과 상기 음의 입력단 사이에 연결된 제 2 보상 커패시터, 및 상기 음의 입력단과 접지 사이에 연결된 제 3 보상 커패시터를 포함하는 기준 전압 생성 회로
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23
청구항 22에 있어서, 상기 제 3 보상 커패시터의 용량은 상기 제 1 커패시터의 용량보다 작고, 상기 제 1 보상 커패시터 및 상기 제 2 보상 커패시터의 용량은 동일하되 상기 제 3 보상 커패시터의 용량보다 더 작게 설정되는 기준 전압 생성 회로
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24
청구항 22에 있어서, 상기 제 2 보상 커패시터에 병렬 연결되며 상기 샘플 신호가 활성화되는 경우 턴온되는 스위치를 더 포함하는 기준 전압 생성 회로
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